[發明專利]固體攝像裝置無效
| 申請號: | 200810091919.0 | 申請日: | 2008-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN101291388A | 公開(公告)日: | 2008-10-22 |
| 發明(設計)人: | 戶谷寬;久保洋士 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | H04N3/15 | 分類號: | H04N3/15;H04N5/217;H04N5/335 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 陳萍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 | ||
1.一種固體攝像裝置,包括:多個像素部,被排列為矩陣狀;列信號線,被設置在所述多個像素部的每個列上,并傳輸來自對應的列上的像素部的像素信號;列放大器單元,被設置在每個列信號線上;電源布線;以及接地布線;該固體攝像裝置的特征在于,
所述各個列放大器單元包括:
恒定電流電路,提供恒定電流;
放大電路,與所述恒定電流電路串聯連接,放大來自對應的列信號線的所述像素信號,并從與所述恒定電流電路的接點輸出放大信號;以及
電阻電路,與所述放大電路并聯連接,并具有一定的電阻值;
所述電源布線與多個所述恒定電流電路連接;
所述接地布線與多個所述放大電路以及多個所述電阻電路連接;
所述電源布線以及所述接地布線由多個所述列放大器單元專用;
所述電源布線的布線電阻和所述接地布線的布線電阻的比,與所述列放大器單元內的所述恒定電流電路的傳導率和所述放大電路以及所述電阻電路的傳導率的比相同。
2.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于,包括:
相關雙重檢測電路,接受來自所述各個列放大器單元的信號;以及
輸出部,接受來自所述相關雙重檢測電路的信號,放大后輸出模擬信號。
3.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于,包括:
相關雙重檢測電路,接受來自所述各個列放大器單元的信號;以及
模擬-數字轉換器,接受來自所述相關雙重檢測電路的信號,并從模擬信號轉換為數字信號。
4.如權利要求3所述的固體攝像裝置,其特征在于,所述模擬-數字轉換器為斜式的模擬-數字轉換器。
5.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于,包括模擬-數字轉換器,具有數字雙取樣功能,接受來自所述各個列放大器單元的信號,并從模擬信號轉換為數字信號。
6.如權利要求5所述的固體攝像裝置,其特征在于,所述模擬-數字轉換器為上/下方式的模擬-數字轉換器。
7.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于,
所述固體攝像裝置具有:
電源布線,與多個所述恒定電流電路連接;以及
接地布線,與多個所述放大電路以及多個所述電阻電路連接;
包括所述電源布線以及所述接地布線的金屬布線層位于,包括連接所述放大電路和所述電阻電路的布線的布線層之上。
8.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其特征在于,
所述恒定電流電路具有至少一個晶體管,以作為恒流源;
所述放大電路具有第一放大晶體管,所述像素信號被輸入到該第一放大晶體管的柵極,并從源極或漏極輸出放大信號;
所述電阻電路具有晶體管,該晶體管的柵極被施加有與線性區域相對應的偏壓。
9.如權利要求8所述的固體攝像裝置,其特征在于,所述恒定電流電路中的至少一個晶體管為,被共射-共基連接的兩個pMOS晶體管。
10.如權利要求9所述的固體攝像裝置,其特征在于,
所述固體攝像裝置進一步包括偏置電路,該偏置電路控制流入到所述各個列放大器單元的恒定電流的大小;
所述偏置電路包括:
第一負載用nMOS晶體管,漏極與恒流源連接,漏極和柵極短路,源極接地;
第一電路,與所述第一負載用nMOS晶體管構成電流鏡電路;以及
第二電路,與所述第一負載用nMOS晶體管構成電流鏡電路;
所述第一電路將第一偏壓提供到,所述被共射-共基連接的兩個MOS晶體管中的一個MOS晶體管的柵極;
所述第二電路將第二偏壓提供到,所述被共射-共基連接的兩個MOS晶體管中另一個MOS晶體管的柵極;
在形成所述固體攝像裝置的半導體襯底上,作為所述放大電路的MOS晶體管的區域的長度和寬度的比,與所述第一負載用nMOS晶體管相同。
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