[發明專利]半導體制造裝置的氣體供給系統

無效

• 申請號: 200810091619.2
• 申請日: 2008-04-09
• 公開（公告）號: CN101284199A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 守谷修司;中尾賢
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: B01D46/00
• 分類號: B01D46/00;H01L21/205
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉春成

1.一種氣體供給系統，其通過氣體供給流路向半導體制造裝置供給預定的氣體，其特征在于，包括：

設置于所述氣體供給通路的氣體過濾器；和

設置在所述氣體供給流路的比所述氣體過濾器的配設位置更靠下游側的位置，使所述氣體供給流路內流通的氣體所包含的揮發性金屬成分液化并去除的金屬成分去除器。

2.如權利要求1所述的氣體供給系統，其特征在于：

所述金屬成分去除器包括：構成所述氣體供給流路的一部分的氣體流路；和使冷卻劑在該氣體流路的外側流通，從外側冷卻該氣體流路的流路冷卻單元。

3.如權利要求2所述的氣體供給系統，其特征在于：

所述金屬成分去除器的流路冷卻單元，使所述冷卻劑在以卷繞所述金屬成分去除器內的氣體流路的外側的方式設置的線圈狀冷卻劑流路內流通。

4.如權利要求2所述的氣體供給系統，其特征在于：

所述金屬成分去除器內的氣體流路鉛直地配設，所述氣體供給流路內流通的氣體，從所述氣體流路的下方的側部流入并從上方的側部流出，并且所述氣體流路的下端開口，并與蓄液室連通。

5.如權利要求2所述的氣體供給系統，其特征在于：

所述金屬成分去除器內的氣體流路，分成流入側流路和流出側流路并分別鉛直地配設，

氣體從所述流入側流路的上方的側部流入，所述流入側流路的下方與蓄液室連通，

所述流出側流路的下方與所述蓄液室連通，氣體從所述流出側流路的上方的側部流出。

6.如權利要求5所述的氣體供給系統，其特征在于：

從所述氣體供給流路供給的氣體為氟類的腐蝕性氣體。

7.如權利要求6所述的氣體供給系統，其特征在于：

所述腐蝕性氣體為HF氣體、F₂氣體、ClF₃的任一種或包含這些的混合氣體。

8.一種半導體制造裝置的氣體供給系統，其通過氣體供給流路向半導體制造裝置供給預定的氣體，其特征在于，包括：

設置于所述氣體供給通路的氣體過濾器；和

設置在所述氣體供給流路的比所述氣體過濾器的配設位置更靠上游側，用于添加氣體的添加氣體供給單元，該氣體使在所述氣體供給流路內流通的氣體所包含的揮發性金屬成分發生化學變化生成通過所述氣體過濾器能夠捕捉的固體金屬化合物。

9.如權利要求8所述的氣體供給系統，其特征在于：

從所述氣體供給流路供給的氣體為氟類的腐蝕性氣體。

10.如權利要求9所述的氣體供給系統，其特征在于：

所述添加氣體為O₂氣體。