[發(fā)明專利]動態(tài)操控電流式混頻器及正交動態(tài)操控電流式混頻器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810091601.2
• 申請日: 2008-04-03
• 公開（公告）號: CN101282107A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡明達;陳彥宏
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號: H03D7/14
• 分類號: H03D7/14
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 任默聞

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種雙平衡混頻器(double-balanced?mixer)，特別是關(guān)于一種具有動態(tài)電流操控單元的雙平衡混頻器。

背景技術(shù)

混頻電路在使用金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管所組成的高頻應(yīng)用中會受到有限的供應(yīng)電壓(通常低于2伏特)以及大量的閃爍噪聲(頻率達數(shù)千萬赫茲)的影響，因此此類混頻電路所需的增益與輸出信號準位超出等效雙載子電路的需求。

圖1是顯示現(xiàn)有技術(shù)中雙平衡混頻器的電路圖。圖1中的雙平衡混頻器包括了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對(Q131-Q132與Q133-Q134)，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對的漏極連接到輸出端(Output-I+與Output-I-)，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對的柵極連接到第一輸入端(Input-II+與Input-II-)。圖1所示的雙平衡混頻電路也包括主動元件Q135、Q136、Q137與Q138，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對Q131-Q132的源極連接到主動元件Q135與Q136的漏極，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對Q133-Q134的源極連接到主動元件Q137與Q138的漏極，主動元件Q135與Q136的柵極連接至第二輸入端(Input-I+)；主動元件Q137與Q138的柵極連接至第二輸入端(Input-I-)，主動元件Q135、Q136、Q137與Q138的源極通過一阻抗單元(如：衰退阻抗)連接至接地端。

圖2是顯示由Raja?S?Pullela等人在ISSCC?2006所揭露的現(xiàn)有技術(shù)正交混頻器200的電路圖。其中正交混頻器200包括一I-正交混頻器210、一Q-正交混頻器220、一兩倍頻的本地振蕩級230以及轉(zhuǎn)導(dǎo)級240。圖2所示I-正交混頻器210包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M9-M10與金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M11-M12，其中金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M9-M10的漏極分別連接到輸出端BBIp與BBIn，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M9-M10的柵極分別連接到第一輸入端LOIp與LOIn；金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M11-M12的漏極分別連接到輸出端BBIp與BBIn，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M11-M12的柵極分別連接到第一輸入端LOIn與LOIp。

圖2所示的Q-正交混頻器220包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M13-M14與M15-M16，其中金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M13-M14的漏極分別連接到輸出端BBQp與BBQn，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M13-M14的柵極連接到第一輸入端LOQp與LOQn；金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M15-M16的漏極分別連接到輸出端BBQp與BBQn，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M15-M16的柵極連接到第一輸入端LOQn與LOQp。

另外，兩倍頻的本地振蕩級230包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管M5、M6、M7與M8，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M9-M10與金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M11-M12的源極分別連接至金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管M5與M7的漏極；而金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M13-M14與金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管差動對M15-M16的源極分別連接至金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管M6與M8的漏極；金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管M5與M7的柵極連接至一輸入端2Lop，而金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管M6與M8的柵極連接至一輸入端2Lon。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管M1與M3連接于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管M5-M6的源極與一接地端之間，而金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管M2與M4連接于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管M7-M8的源極與接地端之間，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管M1與M3的柵極連接至輸入端以輸入射頻信號RF+，而金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管M2與M4的柵極連接至一輸入端以輸入射頻信號RF-。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)中混頻電路運行使用金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管所組成的高頻應(yīng)用中常受到有限的供應(yīng)電壓以及大量的閃爍噪聲影響的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種動態(tài)操控電流式混頻器與正交動態(tài)操控電流式混頻器。