[發明專利]磁記錄介質及其制造方法、以及磁記錄裝置

無效

• 申請號: 200810091599.9
• 申請日: 2008-04-21
• 公開（公告）號: CN101295514A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 安東尼·阿揚
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B5/66
• 分類號: G11B5/66;G11B5/64
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺;馮志云

技術領域

本發明涉及一種磁記錄介質、制造該磁記錄介質的方法以及磁記錄裝置。

背景技術

近年來，諸如硬盤等磁記錄介質作為記錄介質而被廣泛用于個人計算機、游戲機等。為了提高包括垂直磁記錄介質在內的磁記錄介質的密度，其研究和開發都在進行當中。

作為與所述磁記錄介質相關的技術實例，日本特開專利申請號為2004-327006、2006-155865、2006-309925以及2004-348849中公開了制造該介質和磁記錄裝置的方法。

發明內容

本發明的目的是提供一種磁記錄介質、制造這種磁記錄介質的方法以及磁記錄裝置，其中該磁記錄介質在保持高矯頑力并包含更少數量的Ru的同時具有經改善的可寫性。

根據實施例的一個方面，提供一種磁記錄介質，包括：軟磁底層；籽晶層，其包括合金并位于所述軟磁底層上；Ru包含層，其包括晶狀Ru并直接位于所述籽晶層上；以及記錄層，其位于所述Ru包含層上；所述合金包括彼此以相鄰原子的最小間距接合的金屬原子，該合金的最小間距與該晶狀Ru的最小間距的差值是2％或更小。

附圖說明

圖1是示出根據第一實施例的垂直磁記錄介質結構的剖面圖；

圖2是示出如何使用該第一實施例的垂直磁記錄介質的視圖；

圖3是示出在Ni-Pt和Ni-Pd組份、最接近的相鄰原子之間從中心到中心的間距、以及與Ru的不匹配度之間的關系的圖表；

圖4是示出第一個實驗結果的圖表；

圖5是示出第二個實驗結果的圖表；

圖6是示出第二個實驗結果的另一個圖表；

圖7是示出第三個實驗結果的圖表；

圖8是示出第四個實驗結果的圖表；

圖9是示出第五個實驗結果的圖表；

圖10是示出第五個實驗結果的另一個圖表；

圖11是示出第六個實驗結果的圖表；

圖12是示出第七個實驗結果的圖表；

圖13是示出第八個實驗結果的圖表；

圖14是示出第九個實驗結果的圖表；

圖15是示出根據第二實施例的垂直磁記錄介質結構的剖面圖；

圖16是示出在Co-Pt中的Pt比率與a-軸和c-軸長度之間的關系的圖表；

圖17是示出硬盤驅動器(HDD)內部結構的視圖。

具體實施方式

垂直磁記錄介質具有磁記錄層和軟磁底層(SUL)。無磁中間層置于所述磁記錄層和軟磁底層之間，對磁記錄層與軟磁底層進行磁絕緣，并由此而減小噪聲。通常將Ru層作為無磁中間層。在某些垂直磁記錄介質中，在Ru層與軟磁底層之間設置有Ta層、Pt層、Pd層、Ti層、Ni-Fe層、Ni-Fe-Cr層或Ni-Cr層中的一個層等，以作為籽晶層。

為了改善所述垂直磁記錄頭的記錄密度，保持組成所述磁記錄層的物質中的晶體取向的一致性以具有高的矯頑力，這一點至關重要。例如，當所述磁記錄層由Co-Pt組成時，重要的是將表示為Co-Pt(0002)的Co-Pt的晶體的(0002)晶面指數(miller?index)面對準所述磁記錄層的平面。為了實現這樣的狀態，就必須改善位于緊貼在所述磁記錄層下的中間層的結晶度。為在現有的垂直磁記錄介質中實現相同的效果，需要將Ru層的厚度設置為20nm或更厚。然而，因為Ru是貴金屬，所以人們希望減小Ru的使用數量以減少成本。

另一方面，對垂直磁記錄介質進行開發以改善其可寫性也是很重要的。可寫性是表示能被重寫的數據的準確程度的指標。然而，在更高的記錄密度下，高各向異性材料的使用是不可避免的，并且很難使現有的垂直磁記錄介質實現令人滿意的可寫性。

相應的，本發明的目的是提供一種磁記錄介質、制造這種磁記錄介質的方法以及磁記錄裝置，其中該磁記錄介質在保持高矯頑力并包含更少數量的Ru的同時具有經改善的可寫性。

下面將接合附圖來描述實施例。

第一實施例

下面描述第一實施例。圖1是示出根據第一實施例的垂直磁記錄介質結構的剖面圖。

根據第一實施例，如圖1所示，非晶態鐵磁層2設置在圓盤形襯底1上，間隔層3設置在所述非晶態鐵磁層2上，且非晶態鐵磁層4設置在所述間隔層3上。非晶態鐵磁層2、間隔層3以及非晶態鐵磁層4組成軟磁底層11。

可以用塑料襯底、結晶化的玻璃襯底、鋼化玻璃襯底、Si襯底、鋁合金襯底或類似襯底作為所述襯底1。