[發明專利]半導體裝置的制造方法以及顯示裝置

無效

• 申請號: 200810091216.8
• 申請日: 2008-04-21
• 公開（公告）號: CN101291554A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 荒井俊明
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H05B33/10
• 分類號: H05B33/10;H05B33/14
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種半導體裝置的制造方法，用于進行采用多個照射光學系統用能 量束照射半導體膜的退火工藝，在所述半導體膜上包括薄膜晶體管形成區域 的元件形成區域排列成二維圖案，

其中在所述退火工藝中，

用所述能量束照射的區域分成單束照射區域和邊界區域，所述單束照射 區域由所述多個照射光學系統中的每一個用能量束單獨照射，而所述邊界區 域位于彼此相鄰的單束照射區域之間，并且由進行所述單束照射區域的束照 射的兩個照射光學系統用能量束照射，

所述邊界區域分成第一照射部分和第二照射部分，所述第一照射部分作 為被所述兩個照射光學系統之一束照射的部分，和所述第二照射部分作為被 所述兩個照射光學系統中另一個束照射的部分，以及

所述第一照射部分和所述第二照射部分在所述邊界區域于二維方向的 每個方向上彼此混合。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，

其中所述第一照射部分和所述第二照射部分的分布密度在所述二維方 向中垂直于所述單束照射區域和所述邊界區域之間的邊界線的方向上變化。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，

其中所述第一照射部分和所述第二照射部分通過所述第一照射部分和 所述第二照射部分各自的束照射的導通/截止切換而彼此混合。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，

其中所述第一照射部分和所述第二照射部分通過用于照射所述第一照 射部分和所述第二照射部分的能量束的屏蔽/非屏蔽切換而彼此混合。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，

其中所述第一照射部分和所述第二照射部分通過改變所述薄膜晶體管 形成區域在所述元件形成區域中的排列而彼此混合。

6.一種顯示裝置，包括：

驅動基板，通過在基板上形成半導體膜并且在所述半導體膜上形成薄膜 晶體管制造；和

顯示元件，形成在所述驅動基板上；

用于形成所述顯示元件的區域，包括用于形成在所述驅動基板中的所述 半導體膜上排列成二維圖案的所述薄膜晶體管的區域；

其中所述半導體膜通過采用多個照射光學系統用能量束照射所述半導 體膜的退火工藝形成，

在所述退火工藝中，

用所述能量束照射的區域分成單束照射區域和邊界區域，所述單束照射 區域由所述多個照射光學系統中的每一個用能量束單獨照射，而所述邊界區 域位于彼此相鄰的單束照射區域之間，并且由進行所述單束照射區域的束照 射的兩個照射光學系統用能量束照射，

所述邊界區域分成第一照射部分和第二照射部分，所述第一照射部分作 為被所述兩個照射光學系統之一束照射的部分，和所述第二照射部分作為被 所述兩個照射光學系統中另一個束照射的部分，以及

所述第一照射部分和所述第二照射部分在所述邊界區域于二維方向的 每個方向上彼此混合，以及

所述半導體膜通過采用所述多個照射光學系統進行束照射形成。