[發明專利]顯示裝置、顯示裝置的驅動方法和電子設備

有效

• 申請號: 200810091192.6
• 申請日: 2008-04-09
• 公開（公告）號: CN101286296A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 種田貴之;山本哲郎;內野勝秀
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 郭定輝

技術領域

本發明涉及顯示裝置、顯示裝置的驅動方法和電子設備，特別涉及包含電光學元件的像素配置成矩陣(matrix)狀而構成的平面(flat?panel)型的顯示裝置、該顯示裝置的驅動方法和具有該顯示裝置的電子設備。

背景技術

近年來，在進行圖像顯示的顯示裝置領域中，包含發光元件的像素(像素電路)配置為矩陣狀而構成的平面型的顯示裝置，例如作為像素的發光元件，使用發光亮度根據器件中流過的電流值而變化的所謂電流驅動型的電光學元件，例如利用對有機薄膜施加電場而發光的現象的有機EL(ElectroLuminescence，電致發光)元件的有機EL顯示裝置正在開發以及商品化。

有機EL顯示裝置具有如下的特點。即，由于有機EL元件可由10V以下的施加電壓驅動，因此消耗功率低，而且由于是自發光元件，因此與對于包含液晶單元的每個像素通過該液晶單元控制來自光源(背光)的光強度從而顯示圖像的液晶顯示裝置相比，圖像的辨認性提高，而且不需要液晶顯示裝置中所必需的背光等照明部件，因此容易輕薄化。而且，有機EL元件的響應速度為幾μsec左右，非常高速，因此顯示動畫時不發生殘影。

在有機EL顯示裝置中，與液晶顯示裝置同樣，作為其驅動方式，可以采用單純(無源)矩陣方式和有源矩陣方式。但是，單純矩陣方式的顯示裝置的結構簡單，但存在難以實現大型且高精度的顯示裝置等問題。因此，近年來，正在廣泛地開發由與該電光學元件相同的像素電路內設置的有源元件，例如絕緣柵極型場效應晶體管(一般為TFT(Thin?Film?Transistor：薄膜晶體管))控制該電光學元件中流過的電流的有源矩陣方式的顯示裝置。

另外，已知有機EL元件的I-V特性(電流-電壓特性)一般隨著時間經過而劣化(所謂，經時劣化)。在作為對有機EL元件進行電流驅動的晶體管(以下記做“驅動晶體管”)使用N溝道型的TFT的像素電路中，由于在驅動晶體管的源極端連接有機EL元件，因此如果有機EL元件的I-V特性經時劣化，則驅動晶體管的柵極-源極件電壓Vgs變化，其結果，有機EL元件的發光亮度也變化。

下面更具體說明該情況。驅動晶體管的源極電位由該驅動晶體管和有機EL元件的工作點決定。而且，如果有機EL元件的I-V特性劣化，則驅動晶體管和有機EL元件的工作點變動，因此即使對驅動晶體管的柵極施加了相同的電壓，驅動晶體管的源極電位也變化。由此，由于驅動晶體管的源極-柵極間電壓Vgs變化，因此該驅動晶體管中流過的電流值變化。其結果，有機EL元件中流過的電流值也變化，因此有機EL元件的發光亮度變化。

此外，在使用多晶硅TFT的像素電路中，除了有機EL元件的I-V特性的經時劣化之外，驅動晶體管的閾值電壓Vth或構成驅動晶體管的溝道的半導體薄膜的遷移率(以下記做“驅動晶體管的遷移率”)μ隨時間變化，或由于制造工藝的偏差而使閾值電壓Vth和遷移率μ在每個像素中不同(各個晶體管特性中存在偏差)。

如果驅動晶體管的閾值電壓Vth和遷移率μ在每個像素中不同，則每個像素中，驅動晶體管中流過的電流值產生偏差，因此即使對驅動晶體管的柵極施加相同電壓，在像素間的有機EL像素的發光亮度產生偏差，其結果，有損畫面的均勻性(uniformity)。

因此，為了即使有機EL元件的I-V特性經時劣化或驅動晶體管的閾值電壓Vth或遷移率μ經時劣化，也不會受到它們的影響，而且將有機EL元件的發光亮度保持為一定，采用在各個像素電路中具有對于有機EL元件的特性變動的補償功能、以及對于驅動晶體管的閾值電壓Vth的變動的校正(以下記做“閾值校正”)或對于驅動晶體管的遷移率μ的變動的校正(以下記做“遷移率校正”)的各校正功能的結構(例如參照專利文獻1)。

這樣，通過在各個像素電路中具有對于有機EL元件的特性變動的補償功能和對于驅動晶體管的閾值電壓Vth或遷移率μ的變動的校正功能，從而即使有機EL元件的I-V特性經時劣化，或者驅動晶體管的閾值電壓Vth或遷移率μ經時劣化，也不會受到它們的影響，可以將有機EL元件的發光亮度保持為一定。

[專利文獻1]特開2006-133542號公報