[發明專利]單晶硅太陽能電池的制造方法及單晶硅太陽能電池

有效

• 申請號: 200810090977.1
• 申請日: 2008-04-08
• 公開（公告）號: CN101286537A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飛坂優二;久保田芳宏
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/036
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 吳小瑛;劉春生

1.一種單晶硅太陽能電池的制造方法，是用以制造出至少層積有金屬基板、作為光變換層的單晶硅層、以及透明保護膜，并以上述透明保護膜側作為受光面的單晶硅太陽能電池的方法，其特征在于，至少包含：

準備金屬基板與第一導電型的單晶硅基板的工序；

將氫離子或稀有氣體離子的至少其中一種，注入上述單晶硅基板，來形成離子注入層的工序；

在上述金屬基板上形成透明絕緣性層的工序；

于上述單晶硅基板的離子注入面與上述金屬基板上的透明絕緣性層表面的至少其中一方，進行表面活化處理的工序；

將上述單晶硅基板的離子注入面與上述金屬基板上的透明絕緣性層表面貼合的工序；

對上述離子注入層施予沖擊，機械性剝離上述單晶硅基板，來作成單晶硅層的工序；

在上述單晶硅層的上述剝離面側，形成多個與上述第一導電型相異的導電型即第二導電型的擴散區域，至少在面方向形成多個pn結，并作成在上述單晶硅層的上述剝離面，存在多個第一導電型區域與多個第二導電型區域的工序；

在上述單晶硅層的上述多個第一導電型區域上，分別形成多個第一個別電極，而在上述多個第二導電型區域上，分別形成多個第二個別電極的工序；

形成用以連結上述多個第一個別電極的第一集電電極與用以連結上述多個第二個別電極的第二集電電極的工序；以及

形成用以覆蓋上述多個第一導電型區域與多個第二導電型區域的透明保護膜的工序。

2.如權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，上述金屬基板對于可見光具有60％以上的反射率。

3.如權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，上述透明絕緣性層含有氧化硅、氮化硅、氧化鋁之中的至少一種。

4.如權利要求2所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，上述透明絕緣性層含有氧化硅、氮化硅、氧化鋁之中的至少一種。

5.如權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，上述表面活化處理為等離子體處理或臭氧處理的至少一種。

6.如權利要求2所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，上述表面活化處理為等離子體處理或臭氧處理的至少一種。

7.如權利要求3所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，上述表面活化處理為等離子體處理或臭氧處理的至少一種。

8.如權利要求4所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，上述表面活化處理為等離子體處理或臭氧處理的至少一種。

9.如權利要求1～8中任一項所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，上述離子注入的深度，設成從離子注入面算起2μm以上、50μm以下。

10.如權利要求1～8中任一項所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，將上述透明絕緣性層作成具有光散射性。

11.如權利要求9所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，將上述透明絕緣性層作成具有光散射性。

12.如權利要求1～8中任一項所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，將上述透明保護膜作成具有光散射性。

13.如權利要求9所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，將上述透明保護膜作成具有光散射性。

14.如權利要求10所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，將上述透明保護膜作成具有光散射性。

15.如權利要求11所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其中，將上述透明保護膜作成具有光散射性。

16.一種單晶硅太陽能電池，是根據權利要求1～8中任一項所述的單晶硅太陽能電池的制造方法制造而成。

17.一種單晶硅太陽能電池，其特征為：

至少依序層積金屬基板、透明絕緣性層、單晶硅層和透明保護膜；上述單晶硅層，在上述透明保護膜側的表面，形成多個第一導電型區域和多個第二導電型區域，至少在面方向，形成多個pn結；在上述單晶硅層的上述多個第一導電型區域上，分別形成多個第一個別電極；在上述多個第二導電型區域上，分別形成多個第二個別電極；并形成有用以連結上述多個第一個別電極的第一集電電極以及用以連結上述多個第二個別電極的第二集電電極。