[發明專利]半導體檢查裝置

無效

• 申請號: 200810090758.3
• 申請日: 2008-03-31
• 公開（公告）號: CN101275984A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 釜堀英生
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/28;G01R1/073
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 關兆輝;陸錦華

技術領域

本發明涉及一種執行半導體器件檢查的半導體檢查裝置。

背景技術

在典型的通過測量半導體器件的電特性來執行半導體器件檢查的半導體檢查裝置中，使探針與半導體器件上的電極焊盤接觸以測量半導體器件的電特性。

Be-Cu材料或W材料通常用作所述探針的材料。Be-Cu材料具有小電阻值和高測量精度然而它具有低耐久性。另一方面，W材料具有高耐久性然而由于它的大的電阻值，所以它具有低的測量精度。所以，當由帶有W材料的探針測量所述半導體器件的電特性時，必須執行具有更好測量精度的開氏(Kelvin)測量。在Kelvin測量中，使力探針和傳感探針與所述電極焊盤接觸以測量電特性。力探針向半導體器件施加電壓而傳感探針檢測所述半導體器件的電壓。

目前半導體器件已經高度集成化并且半導體封裝已經小型化，這意味著電極焊盤的尺寸和電極的間距在減小。另一方面，需要足夠大的電極焊盤的面積或電極之間的間距，以使探針高精度地接觸所述電極焊盤。按照常規的技術很難將探針布置在所述器件附近狹窄的間距處。所以，已經越來越難使高度集成和小型化的半導體器件的電極焊盤與探針高精度地接觸。

例如，日本未審專利申請公開No.62-109334公開了一種技術，該技術使第一探針與電極焊盤接觸并且使第二探針與所述第一探針的上部接觸以執行Kelvin測量。因此，使小型化的電極焊盤與探針接觸是可能的。

進一步地，日本未審專利申請公開No.5-144895公開了一種技術，如圖3所示，使探針50與電極焊盤51接觸由此進行Kelvin測量，其中所述的傳感探針和力探針的尖端Kelvin連接到探針50。

進一步地，日本未審的專利申請公開No.9-203764公開了一種技術，如圖4所示，通過力探針62和傳感探針63連接半導體器件61的引線60以執行Kelvin測量。

然而，在所述的日本未審專利申請公開No.62-109334中，將第二探針布置在相對于第一探針傾斜的位置處(見圖3B，日本未審專利申請公開No.62-109334的示例)。所以，由兩個探針占用的空間變大以致于不能將所述探針布置在相對于高度集成的半導體器件的狹窄的間距處。同樣地，在日本未審專利申請公開No.5-144895中，探針50被分成兩個部分，這使得在相對于半導體器件的狹窄的間距處不可能布置探針50。

在日本未審專利申請公開No.62-109334中，尖銳地形成所述的第一探針和第二探針，這使兩個探針很難高精度地互相接觸。

發明內容

根據本發明的第一方面，提供了半導體檢查裝置，所述半導體檢查裝置包括當從垂直于半導體器件的電極表面的方向觀看時，基本上在同一條線上布置的力探針和傳感探針。由于具有這樣的結構，可以減少所述探針所占用的空間。因此，能將所述探針布置在相對于高度集成的半導體器件的狹窄間距處。

根據本發明的第二方面，提供了半導體檢查裝置，該檢查裝置具有與電極接觸的力探針的端部并且使該端部呈平坦的形狀。然后傳感探針的端部與所述力探針的端部接觸，以便使所述傳感探針與所述力探針接觸。通過具有這樣的結構，當傳感探針的端部與在所述力探針的平坦表面內形成的端部的任何部分相接觸時，都能使所述傳感探針與所述力探針接觸。所以，能使探針高精度地接觸。

進一步地，根據本發明的第三方面，提供了半導體檢查裝置，該半導體檢查裝置具有與電極連接并且銳利地形成的力探針的端部。力探針包括處于所述力探針的端部側中的平坦部分。傳感探針具有與所述力探針的平坦部分相接觸的端部，以便使所述傳感探針與所述力探針接觸。通過具有這樣的結構，在電極和力探針之間形成了點接觸。所以，能防止在所述電極與所述力探針接觸時可能發生的位移。當傳感探針的端部與力探針的平坦表面的任何部分接觸時，都能使所述傳感探針與所述力探針接觸。所以，能使探針高精度地接觸。

根據本發明，能將所述探針布置在相對于高度集成的半導體器件的狹窄間距處。進一步地，能使所述力探針高精度地與所述傳感探針接觸。

附圖說明

結合附圖，根據下列特定優選實施例的描述，本發明的上述及其它的目的、優點和特征將更加顯而易見，其中：

圖1是示意地示出根據本發明第一實施例的半導體檢查裝置的透視圖；

圖2是示意地示出根據本發明第二實施例的半導體檢查裝置的透視圖；

圖3是示意地示出現有半導體檢查裝置的透視圖；及

圖4是示意地示出另一現有半導體檢查裝置的透視圖。

優選實施方式