[發明專利]發光器件的制造方法有效
| 申請號: | 200810090709.X | 申請日: | 2008-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN101295772A | 公開(公告)日: | 2008-10-29 |
| 發明(設計)人: | 池田壽雄;青山智哉 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 張雪梅;劉宗杰 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 制造 方法 | ||
1.一種發光器件的制造方法,包括:
在第一襯底上形成至少包含具有第一蒸鍍溫度的第一蒸鍍材料 和具有第二蒸鍍溫度的第二蒸鍍材料的第一有機化合物層,其中所述 第二蒸鍍溫度高于所述第一蒸鍍溫度;
將具有第一電極的第二襯底設置在與所述第一襯底相對的位置, 以使所述第一電極和所述第一有機化合物層相對;
通過以低于所述第二蒸鍍溫度的溫度加熱所述第一有機化合物 層并使它蒸發,來在提供于所述第二襯底上的所述第一電極上形成第 二有機化合物層;以及
在所述第二有機化合物層上形成第二電極,
其中,所述第一有機化合物層通過旋涂法、噴墨法、浸涂法、澆 注法、模壓涂敷法、輥涂法、刮刀涂布法、刮棒涂布法、凹版涂布法 或印刷法形成在所述第一襯底上,并且
其中,使用加熱單元來執行所述第一有機化合物層的加熱,使所 述加熱單元在加熱時比加熱前更接近所述第一襯底。
2.根據權利要求1所述的發光器件的制造方法,其中所述第二有 機化合物層包含所述第一蒸鍍材料和所述第二蒸鍍材料。
3.根據權利要求1所述的發光器件的制造方法,其中使所述第一 有機化合物層的表面和所述第二襯底的表面之間的距離成為0mm以 上且50mm以下地提供所述第二襯底。
4.根據權利要求1所述的發光器件的制造方法,其中在加熱所述 第一有機化合物層期間控制所述第二襯底的溫度。
5.一種發光器件的制造方法,包括:
在第一襯底上形成包含主體材料及其蒸鍍溫度比所述主體材料 高的摻雜劑材料的第一有機化合物層;
將具有第一電極的第二襯底設置在與所述第一襯底相對的位置, 以使所述第一電極和所述第一有機化合物層相對;
通過以所述主體材料的蒸鍍溫度以上且低于所述摻雜劑材料的 蒸鍍溫度的溫度加熱所述第一有機化合物層并使它蒸發,來在提供于 所述第二襯底上的所述第一電極上形成第二有機化合物層;
在所述第二有機化合物層上形成第二電極,
其中,所述第一有機化合物層通過旋涂法、噴墨法、浸涂法、澆 注法、模壓涂敷法、輥涂法、刮刀涂布法、刮棒涂布法、凹版涂布法 或印刷法形成在所述第一襯底上,并且
其中,使用加熱單元來執行所述第一有機化合物層的加熱,使所 述加熱單元在加熱時比加熱前更接近所述第一襯底。
6.根據權利要求5所述的發光器件的制造方法,其中使用其蒸鍍 溫度比所述摻雜劑材料的分解溫度低的材料作為所述主體材料。
7.根據權利要求5所述的發光器件的制造方法,其中所述第二有 機化合物層包含所述摻雜劑材料和所述主體材料。
8.根據權利要求5所述的發光器件的制造方法,其中使所述第一 有機化合物層的表面和所述第二襯底的表面之間的距離成為0mm以 上且50mm以下地提供所述第二襯底。
9.根據權利要求5所述的發光器件的制造方法,其中在加熱所述 第一有機化合物層期間控制所述第二襯底的溫度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





