[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 200810090705.1
• 申請日: 2008-03-31
• 公開（公告）號: CN101388406A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 羽鳥憲司;楢崎敦司
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王 岳;張志醒

1.一種半導體裝置，其中，

具有：半導體襯底，具有主表面；半導體元件，具有形成在所述半導體襯底上的絕緣柵型場效應部，

所述半導體元件包括：形成在所述主表面上的第一導電型的第一區域；形成在所述主表面上的第一導電型的源極區域；以與所述源極區域鄰接的方式形成在所述主表面上的第二導電型的基極區域；第一導電型的第二區域，以與所述基極區域鄰接、且夾持所述基極區域而與所述源極區域面對的方式形成在所述主表面上，并且，具有比所述第一區域高的雜質濃度；絕緣膜，形成在位于所述源極區域和所述第二區域之間的所述基極區域上；形成在所述絕緣膜上的柵電極，

所述第一區域以在所述主表面上與所述基極區域鄰接并且在所述主表面上與所述第二區域鄰接的方式形成。

2.根據權利要求1的半導體裝置，其特征在于，

所述柵電極在位于所述源極區域和所述第二區域之間的所述基極區域的一個區域以外的所述基極區域的其他區域上延伸地形成。

3.根據權利要求2的半導體裝置，其特征在于，

在所述基極區域的所述其他區域上所形成的所述絕緣膜的厚度比在所述絕緣膜的所述一個區域上所形成的所述所述絕緣膜的厚度大。

4.根據權利要求1的半導體裝置，其特征在于，

所述柵電極僅形成在位于所述源極區域和所述第二區域之間的所述基極區域上。

5.根據權利要求1的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件是IGBT，并且，還具有第二導電型的集電極區域。

6.根據權利要求1的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件是MISFET。