[發明專利]旋塞的閥元件

無效

• 申請號: 200810090600.6
• 申請日: 2008-04-03
• 公開（公告）號: CN101285535A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: K·布倫杜姆;R·P·韋爾蒂;D·S·里士滿;P·B·約恩特;K·托馬斯
• 申請（專利權）人: 蒸汽技術公司
• 主分類號: F16K11/074
• 分類號: F16K11/074;F16K25/04
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 蔡勝利

1、一種旋塞閥的耐磨閥元件，包括：

包含基質材料的基底；

設置在所述基底之上的強化層，其量足以改進所述基底的耐磨性，所述強化層包含以下材料中的至少一種：鉭、鉻、鋯和鎢；以及

設置在所述強化層之上的包含非晶金剛石的層，所述非晶金剛石具有至少大約40％的sp³的鍵結、至少大約45GPa的硬度、以及至少大約400GPa的彈性模量。

2、根據權利要求1所述的閥元件，其特征在于，所述非晶金剛石層的摩擦系數低于類金剛石碳，并且硬度高于類金剛石碳。

3、根據權利要求1所述的閥元件，其特征在于，所述強化層包括氮化鉻。

4、根據權利要求1所述的閥元件，其特征在于，所述強化層包括以下材料之一：碳化鉭、氮化鉭、氮化鋯、氮化鎢和碳化鎢。

5、根據權利要求4所述的閥元件，其特征在于，所述強化層包括鉭。

6、根據權利要求1所述的閥元件，其特征在于，所述強化層的硬度高于所述基底。

7、根據權利要求1所述的閥元件，其特征在于，所述基底包括以下材料之一：不銹鋼、鋁、銅、鈦、鋯、玻璃、金屬陶瓷、陶瓷、含有玻璃的材料、聚合材料和復合材料。

8、根據權利要求1所述的閥元件，其特征在于，所述基底包括氧化鋁。

9、根據權利要求1所述的閥元件，其特征在于，所述包含非晶金剛石的層的厚度小于大約10微米。

10、根據權利要求1的所述閥元件，其特征在于，還包括設置在所述第一層材料與所述第二層材料之間的粘附促進層。

11、一種旋塞，包括：

包含基質材料的第一閥盤；

設置在所述基質材料之上的強化層，所述強化層包含以下至少一種材料：氮化鉻、碳化鉭、氮化鉭、氮化鋯、氮化鎢和碳化鎢；以及

設置在所述強化層之上的非晶金剛石材料，所述非晶金剛石材料的摩擦系數低于類金剛石碳，并且硬度高于類金剛石碳。

12、根據權利要求11所述的旋塞，其特征在于，所述非晶金剛石材料具有至少大約40％的sp³的鍵結、至少大約45GPa的硬度、以及高于大約400GPa的彈性模量。

13、根據權利要求11所述的旋塞，其特征在于，所述非晶金剛石材料主要包括碳。

14、根據權利要求11所述的旋塞，其特征在于，所述強化層包括鉭。

15、根據權利要求11所述的旋塞，其特征在于，所述基質材料選自以下材料：不銹鋼、鋁、銅、鈦、鋯、玻璃、金屬陶瓷、含有玻璃的材料、聚合材料和復合材料。

16、根據權利要求15所述的旋塞，其特征在于，所述基質材料包括氧化鋁。

17、根據權利要求11所述的旋塞，其特征在于，所述非晶金剛石材料的厚度小于大約10微米。

18、根據權利要求11所述的旋塞，其特征在于，還包括設置在所述強化層與所述非晶金剛石材料之間的材料層。

19、根據權利要求18所述的旋塞，其特征在于，設置在所述強化層與所述非晶金剛石材料之間的所述材料層包括以下至少一種材料：鉻、鈦、鎢和硅。

20、根據權利要求11所述的旋塞，其特征在于，還包括第二閥盤，在所述第二閥盤上設有非晶金剛石材料，所述第二閥盤設置成與所述第一閥盤接觸。

21、一種旋塞閥盤，包括：

基底；

設置在所述基底之上的材料層，所述材料層包括以下至少一種材料：碳化鉭、氮化鉭、氮化鋯、氮化鎢和碳化鎢；以及

設置在所述材料層之上的非晶金剛石層，所述非晶金剛石層的硬度大于類金剛石碳，并且具有至少大約40％的sp³的鍵結。

22、根據權利要求21所述的旋塞閥盤，其特征在于，所述非晶金剛石層具有至少大約45GPa的硬度以及至少大約400GPa的彈性模量。

23、根據權利要求21所述的旋塞閥盤，其特征在于，所述非晶金剛石層的摩擦系數低于類金剛石碳。