[發明專利]微移動器件、晶片及其制造方法

無效

• 申請號: 200810090308.4
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101274741A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 井上廣章;勝木隆史;石川寬;中澤文彥;山地隆行
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社;富士通媒體部品株式會社
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;H01L23/00;H01L21/02
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺;馮志云

1.一種微移動器件，其通過加工多層結構的材料基板而獲得，所述多層結構包括：第一層；第二層，在其位于該第一層一側的表面上具有微細粗糙區；以及中間層，其設置在該第一層與該第二層之間，該微移動器件包括：

第一結構，其形成在該第一層中，以及；

第二結構，其形成在該第二層中，并相對于該第一結構而可移位，該第二結構包括經由間隙面向該第一結構、并在其位于該第一結構的一側具有微細粗糙區的部分。

2.如權利要求1所述的微移動器件，其中通過在該第二層上沉積多晶硅或非晶硅、或者通過蝕刻該第二層的表面而設置該微細粗糙區。

3.如權利要求1所述的微移動器件，其中該微細粗糙區的表面粗糙度不小于10nm，并且不超過該中間層的厚度的20％。

4.如權利要求1所述的微移動器件，其被配置為角速度傳感器或加速度傳感器。

5.一種包括多層結構的晶片，該多層結構包括：

第一層；

第二層，在其位于該第一層的一側具有微細粗糙區；以及

中間層，其設置在該第一層與該第二層之間。

6.如權利要求5所述的晶片，其中通過在該第二層上沉積多晶硅或非晶硅、或者通過蝕刻該第二層的表面而設置該微細粗糙區。

7.如權利要求5所述的晶片，其中該微細粗糙區的表面粗糙度不小于10nm，并且不超過該中間層的厚度的20％。

8.一種具有多層結構的晶片的制造方法，該多層結構包括：第一層；第二層，在其位于該第一層的一側具有微細粗糙區；以及中間層，其設置在該第一層與該第二層之間，該方法包括如下步驟：

通過在預備第二層的表面上沉積多晶硅或非晶硅、或者通過蝕刻該預備第二層的表面而形成該微細粗糙區；

在該預備第二層的微細粗糙區上形成預備中間層；以及

經由在該微細粗糙區上形成的預備中間層來連接該預備第二層和一預備第一層。

9.如權利要求8所述的方法，其中該預備中間層是氧化硅層、氮化硅層和氧化鋁層其中之一。

10.一種具有多層結構的晶片的制造方法，該多層結構包括：第一層；第二層，在其位于該第一層的一側具有微細粗糙區；以及中間層，其設置在該第一層與該第二層之間，該方法包括如下步驟：

通過在預備第二層的表面上沉積多晶硅或非晶硅、或者通過蝕刻該預備第二層的表面而形成該微細粗糙區；

在該預備第二層的微細粗糙區上形成預備中間層；以及

通過在該預備中間層上沉積材料來形成該第一層。

11.如權利要求10所述的方法，其中該預備中間層是氧化硅層、氮化硅層和氧化鋁層其中之一。