[發明專利]半導體器件及其制造方法、光測定裝置、光檢測裝置

有效

• 申請號: 200810090225.5
• 申請日: 2008-04-01
• 公開（公告）號: CN101295722A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 千葉正
• 申請（專利權）人: 沖電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件具有：

形成于基板上的受光部；

信號處理部，其形成于所述基板上，且根據來自所述受光部的輸出 信號進行處理；

配置在所述信號處理部上方的遮光層；以及

多個電連接部件，其在所述遮光層的端部形成于所述遮光層和所述 基板之間，且各自分離開形成，

所述多個電連接部件與接地或者足夠抽出產生于所述遮光層的浮游 電荷的電位連接。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多個電連 接部件沿著所述遮光層的端部配置成一列。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多個電連 接部件沿著所述遮光層的端部配置成多列。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，沿著所述遮光 層的端部配置成多列的所述多個電連接部件被配置成為交錯網格狀。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多個電連 接部件被電連接成在所述受光部中與接地或者足夠抽出產生于所述遮光 層的浮游電荷的電位連接。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多個電連 接部件被電連接成在所述信號處理部中與接地或者足夠抽出產生于所述 遮光層的浮游電荷的電位連接。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多個電連 接部件被電連接成在所述受光部和所述信號處理部中與接地或者足夠抽 出產生于所述遮光層的浮游電荷的電位連接。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述遮光層在 形成于所述信號處理部上方的多個布線層中的最上層中形成。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述遮光層在 形成于所述信號處理部上方的多個布線層中的中間布線層中形成。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述電連接 部件在所述基板的厚度方向上層疊有多個。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述電連接 部件是接觸插頭。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述接觸插 頭利用從鎢、銅、鋁、鋁合金、鉬、可摻雜的多晶硅中選擇出的至少一 種材料構成。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述接觸插 頭利用相同的材料同與該接觸插頭連接的布線層形成為一體。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，所述接觸插 頭和布線層利用從鎢、銅、鋁、鋁合金中選擇出的至少一種材料構成。

15.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述基板是 具有硅層的SOI基板，所述受光部和所述信號處理部形成在所述硅層上。

16.根據權利要求15所述的半導體器件，其特征在于，所述受光部 的所述硅層按照只能吸收紫外線的波長頻帶的光的方式設定膜厚。

17.根據權利要求16所述的半導體器件，其特征在于，所述硅層的 膜厚為3nm～36nm。

18.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述基板是 大塊基板，在所述受光部上方具有只使紫外線的波長頻帶的光透射的濾 波器。

19.一種光測定裝置，其特征在于，所述光測定裝置具有：

權利要求1～18中的任意一項所述的半導體器件；

顯示單元，其顯示入射到所述半導體器件的所述受光部的光量；以 及

控制單元，其根據來自所述半導體器件的輸出信號控制所述顯示單 元，使之顯示入射到所述受光部的光量。