[發明專利]薄膜器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200810090201.X
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101290916A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 增田隆英;佐野正志;有友宏樹
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;G11B5/37;G11B5/31
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳松濤

1.一種薄膜器件，其包括薄膜元件、引線導體膜、絕緣膜和凸塊，

其中，所述薄膜元件包括電磁轉換元件、無源元件和有源元件中的至少一種，

所述引線導體膜設在所述絕緣膜的內部，包含Cu作為主要成分并且連接到所述薄膜元件，

所述凸塊設為露出在所述絕緣膜的外部，至少包括第一導體膜和第二導體膜，

所述第一導體膜附著到所述引線導體膜上，并且所述第一導體膜為Ta膜或者由具有與Ta膜相同程度的精細晶體結構的材料制成，并且

所述第二導體膜是直接或間接形成在所述第一導體膜上的鍍膜，并且所述第二導體膜包含Au作為主要成分。

2.如權利要求1所述的薄膜器件，其中，所述引線導體膜具有平面部分和突出部分，

所述突出部分是從所述平面部分突出出來的鍍膜，并且一個端面基本上與所述絕緣膜的表面齊平，并且

所述凸塊附著到所述突出部分的所述一個端面上。

3.如權利要求2所述的薄膜器件，其中，所述絕緣膜是陶瓷膜，并且

所述突出部分的所述一個端面和所述絕緣膜的所述表面構成拋光表面。

4.如權利要求3所述的薄膜器件，其中，所述第一導體膜具有在5-15nm范圍內的膜厚。

5.如權利要求4所述的薄膜器件，其中，在所述第一導體膜和所述第二導體膜之間，所述凸塊具有包含Au作為主要成分的第三導體膜。

6.一種薄膜磁頭，包括滑動器、至少一個電磁轉換元件、引線導體膜、絕緣膜和凸塊，

其中所述電磁轉換元件由所述滑動器支撐，

所述引線導體膜設在所述絕緣膜的內部，包含Cu作為主要成分并且連接到所述電磁轉換元件，

所述凸塊設為露出在所述絕緣膜的外部，至少包括第一導體膜和第二導體膜，

所述第一導體膜附著到所述引線導體膜上，并且所述第一導體膜為Ta膜或者由具有與Ta膜相同程度的精細晶體結構的材料制成，并且

所述第二導體膜是直接或間接形成在所述第一導體膜上的鍍膜，并且所述第二導體膜包含Au作為主要成分。

7.如權利要求6所述的薄膜磁頭，其中，所述引線導體膜具有平面部分和突出部分，

所述突出部分是從所述平面部分突出出來的鍍膜，并且一個端面基本上與所述絕緣膜的表面齊平，并且

所述凸塊附著到所述突出部分的所述一個端面上。

8.如權利要求7所述的薄膜磁頭，其中，所述絕緣膜是陶瓷膜，并且

所述突出部分的所述一個端面和所述絕緣膜的所述表面構成拋光表面。

9.如權利要求8所述的薄膜磁頭，其中，所述第一導體膜具有在5-15nm范圍內的膜厚。

10.如權利要求9所述的薄膜磁頭，其中，在所述第一導體膜和所述第二導體膜之間，所述凸塊具有包含Au作為主要成分的第三導體膜。

11.如權利要求6所述的薄膜磁頭，其中，所述電磁轉換元件包括垂直記錄元件和再生元件。

12.一種頭組件，包括薄膜磁頭和頭支撐器件，

其中所述薄膜磁頭為權利要求6～11中某一項所述的薄膜磁頭；

所述頭支撐器件以允許所述薄膜磁頭的轉動和傾斜的方式支撐所述薄膜磁頭。

13.一種磁記錄/再生設備，包括頭組件和磁記錄介質，

其中所述頭組件為權利要求12所述的頭組件；

所述頭組件與所述磁記錄介質配合，以便在所述磁記錄介質上記錄磁數據或從所述磁記錄介質再生磁數據。

14.一種權利要求1～5中某一項所述的薄膜器件的制造方法，其中，包括以下工序：

在所述引線導體膜上形成第一導體膜，該第一導體膜為Ta膜或者由具有與Ta膜相同程度的精細晶體結構的材料制成；

然后，在所述第一導體膜上直接或間接地形成第二導體膜，該第二導體膜是包含Au作為主要成分的鍍膜。

15.如權利要求14所述的制造方法，其中，所述引線導體膜具有平面部分和突出部分并且嵌在絕緣膜中，并且所述突出部分是從所述平面部分突出出來的鍍膜，其中，該制造方法包括以下工序：

進行拋光，使得所述突出部分的一個端面呈現為基本上與所述絕緣膜的表面齊平，

然后，在所述突出部分的所述一個端面上形成所述凸塊。