[發(fā)明專利]用于鋰離子二次電池的負(fù)極、其制造方法以及包含所述負(fù)極的鋰離子二次電池

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810090052.7
• 申請日: 2005-11-11
• 公開（公告）號: CN101241986A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 古結(jié)康隆;本田和義;佐藤俊忠;芳澤浩司
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號: H01M4/02
• 分類號: H01M4/02;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/04;H01M10/40
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 過曉東

1、一種用于鋰離子二次電池的負(fù)極，其包含集電器和承載在所述集電器上的活性材料層，

其中所述活性材料層包含硅、氧而不含粘著劑，并且

其中所述活性材料層在與所述集電器接觸一側(cè)的氧比大于不與所述集電器接觸一側(cè)的氧比。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于鋰離子二次電池的負(fù)極，其中在所述活性材料層的厚度方向上，從不與所述集電器接觸的一側(cè)至與所述集電器接觸的一側(cè)，所述氧比連續(xù)地增加。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于鋰離子二次電池的負(fù)極，其中所述活性材料層包含表示為SiO_x(0≤x≤2)的活性材料，且所述活性材料層的厚度為T，在所述活性材料層中包含SiO_x(0.8≤x≤2)的區(qū)域的厚度T1不小于T/10。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于鋰離子二次電池的負(fù)極，其中所述活性材料層包含表示為SiO_x(0≤x≤2)的活性材料，且所述活性材料層的厚度為T，在所述活性材料層中包含SiO_x(0≤x≤0.8)的區(qū)域的厚度T2不小于T/10。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于鋰離子二次電池的負(fù)極，其中所述活性材料層的厚度T為0.5微米≤T≤30微米。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于鋰離子二次電池的負(fù)極，

其中所述活性材料層中所含的活性材料包含硅和氧化硅，并且

其中所述硅和所述氧化硅是非晶態(tài)，并且在將Cu的Kα輻射用作光源的X射線衍射圖中在10°至40°處有一個(gè)寬峰。

7、一種制造用于鋰離子二次電池的負(fù)極的方法，其包括如下步驟：借助濺射法或氣相沉積法使硅原子通過氧氣氛而提供至集電器，控制所述氧氣氛在沉積區(qū)域入口側(cè)的氧濃度高于在沉積區(qū)域出口側(cè)的氧濃度，在此同時(shí)移動(dòng)所述集電極從所述入口側(cè)至所述出口側(cè)通過所述沉積區(qū)域，從而在所述集電器上形成包含硅和氧的活性材料層。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造用于鋰離子二次電池的負(fù)極的方法，其中沿移動(dòng)所述集電器的方向，所述氧氣氛的氧濃度連續(xù)地減小。

9、根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造用于鋰離子二次電池的負(fù)極的方法，其中將所述集電器加熱至300至800℃。

10、根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造用于鋰離子二次電池的負(fù)極的方法，其中使所述氧氣氛中所含的所述氧轉(zhuǎn)化成等離子體。

11、一種制造用于鋰離子二次電池的負(fù)極的方法，其包括如下步驟：在以一定的方向移動(dòng)集電器通過沉積區(qū)域的同時(shí)，借助濺射法或氣相沉積法，將硅原子和氧原子由硅靶和氧化硅靶提供至所述集電器，從而在所述集電器上形成包含硅和氧的活性材料層，

其中所述氧化硅靶和所述硅靶以該順序沿所述集電器的移動(dòng)方向排列。

12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造用于鋰離子二次電池的負(fù)極的方法，其中將所述集電器加熱至300至800℃。

13、一種鋰離子二次電池，其包含正極、根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)極、安置在所述正極和所述負(fù)極之間的隔離膜以及電解液。