[發明專利]氮化物半導體發光器件的制造方法有效
| 申請號： | 200810090009.0 | 申請日： | 2008-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN101276991A | 公開（公告）日： | 2008-10-01 |
| 發明（設計）人： | 駒田聰;小河淳;高岡宏樹 | 申請（專利權）人： | 夏普株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/00 | 分類號： | H01S5/00;H01S5/323;H01S5/343;C23C16/18;H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 陳桉;封新琴 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 發光 器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造氮化物半導體發光器件的方法，所述氮化物半導體發光器件至少具有在基底上生長的n型氮化物半導體層、活性層和p型氮化物半導體層，所述方法包括下述步驟：
在生長所述活性層之前使表面活性劑材料與所述n型氮化物半導體層的表面或未摻雜氮化物半導體層的表面接觸，或者在生長所述活性層的過程中或生長所述活性層之后使表面活性劑材料與已生長的晶體表面接觸。
2.權利要求1的制造氮化物半導體發光器件的方法，其中所述活性層是通過交替層疊帶隙彼此不同的井層和阻擋層而形成的，其包括下述步驟：
在生長至少一層井層之后，使所述表面活性劑材料與所述井層的表面接觸。
3.權利要求1的制造氮化物半導體發光器件的方法，其中所述表面活性劑材料包括In、Al、Ga、Mg、Zn、Si或Ge。
4.權利要求2的制造氮化物半導體發光器件的方法，其中所述表面活性劑材料包括In、Al、Ga、Mg、Zn、Si或Ge。
5.權利要求2的制造氮化物半導體發光器件的方法，其中所述井層由InxGa1-xN(0＜x≤1)形成。
6.權利要求1的制造氮化物半導體發光器件的方法，其中所述n型氮化物半導體層、所述活性層和所述p型氮化物半導體層是采用金屬有機化學氣相沉積法生長的。
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