[發明專利]一種位寬自適應的存儲器訪問方法及系統

有效

• 申請號: 200810089937.5
• 申請日: 2008-04-09
• 公開（公告）號: CN101251828A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 黃少彬
• 申請（專利權）人: 炬力集成電路設計有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02;G06F9/445
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司
• 代理人: 宋志強;麻海明

技術領域

本發明涉及存儲器訪問技術，特別涉及一種位寬自適應的存儲器訪問方法及系統。

背景技術

片上系統(SoC，System?on?Chip)是一種系統級芯片，在該芯片中集成了其所在的整個應用系統的解決方案，應用系統中除SoC之外還包括存儲器和相關外設等。SoC一般包括中央處理器(CPU，Central?Process?Unit)、總線、只讀存儲器(ROM，Read?Only?Memory)、各種存儲器引導控制器和應用模塊，其中存儲器引導控制器負責以一定的位寬模式訪問SoC外部的存儲器。

應用系統開機后，SoC中的硬件CPU需要運行軟件系統，其中獲取軟件系統代碼并運行的過程就稱為代碼引導。一般情況下，上述軟件系統代碼可以存儲在SoC內部的ROM中，也可以存儲在SoC外部的存儲器中。

應用系統中SoC外部的存儲器包括安全數字(SD，Secure?Digital)卡、與非型快閃存儲器(Nandflash)、或非型快閃存儲器(Norflash)等，根據應用需要可以選擇不同類型的存儲器。這些不同類型的存儲器可能存在不同的位寬，因此為實現從存儲器進行的代碼引導，即實現獲取存儲器中的軟件系統代碼并且運行，在SoC設計中必須考慮不同位寬的總線訪問機制，以滿足SoC對外部不同位寬的存儲器的訪問。

以Norflash為例，其作為一種程序存儲器在SoC設計中獲得了廣泛的應用，位寬包括8比特和16比特兩種。目前為滿足對不同位寬Norflash的訪問需求，普遍的做法有以下兩種：

第一、使用SoC上的一個引腳用于檢測所連接的電平值，并設置不同電平值和Norflash位寬的關系，這樣在該引腳上連接不同的電平時，SoC就可以通過對電平值的檢測，實現對存儲器位寬的檢測，進而使用不同的位寬模式訪問Norflash。例如，如果在該引腳連接的電平為3.3伏，SoC檢測到后確定存儲器的位寬為16比特，進而以16比特位寬模式訪問Norflash，如果在該引腳連接的電平為0伏，SoC檢測到后確定存儲器的位寬為8比特，進而以8比特位寬模式訪問Norflash。上述對Norflash的訪問由SoC內部的Norflash引導控制器完成。

但是考慮到SoC的引腳有限，這種存儲器位寬檢測和存儲器訪問的方式浪費了引腳，從而限制了SoC功能上的擴展，使得SoC競爭力下降，同時在靈活性上也有所欠缺。

第二、在應用系統額外增加一個存儲器，如電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM，Electrically?Erasable?Programmable?Read?Only?Memory)，在該增加的存儲器中寫入Norflash引導控制器位寬模式切換程序，通過對該程序的運行實現對Norflash引導控制器位寬模式的切換。由于設計人員會預先知曉所使用的Norflash位寬，因此可以將Norflash引導控制器位寬模式切換程序寫入增加的存儲器中，這樣當SoC上電后運行增加的存儲器中的程序，即可以將Norflash引導控制器的位寬模式切換成與所使用的Norflash相同。

該方法在設計人員已知使用的Norflash位寬的情況下，通過增加存儲Norflash控制器位寬模式切換程序的存儲器，實現SoC上電后對Norflash引導控制器位寬模式的切換，但同時增加了整個SoC設計的成本，也會使得SoC的競爭力下降。另外，該方法也無法實現對Norflash位寬的檢測。

可見，目前針對SoC的應用，還未出現既能節約成本又能進行位寬自適應的存儲器訪問方法。

發明內容

本發明提供一種位寬自適應的存儲器訪問方法，使用該方法可以基于低成本實現SoC對存儲器進行位寬自適應的訪問。

本發明提供一種位寬自適應的存儲器訪問系統，使用該系統可以基于低成本實現SoC對存儲器進行位寬自適應的訪問。

本發明的技術方案是這樣實現的：

一種位寬自適應的存儲器訪問方法，該方法包括：

使用當前位寬模式讀取存儲器中設置的位寬檢測信息一次以上，將存儲器中設置的位寬檢測信息讀出，所述設置的位寬檢測信息的比特位數大于等于所述存儲器的位寬；

判斷位寬檢測信息的讀取結果與所述設置的位寬檢測信息是否一致，如果不是則調整位寬模式、使用調整后的位寬模式訪問存儲器，否則使用當前位寬模式訪問存儲器；

所述調整位寬模式包括：