[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200810089862.0
• 申請日: 2008-04-03
• 公開（公告）號: CN101335240A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發明（設計）人: 金大植
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/8242;H01L21/768;H01L27/088;H01L27/108;H01L23/522
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉繼富;顧晉偉

1.一種制造半導體器件的方法，該方法包括以下步驟：

在半導體襯底的有源區中沿一個方向形成多個溝槽；

在包括所述溝槽的半導體襯底上形成與所述溝槽交叉的凹陷柵極；

在所述凹陷柵極兩側的包括所述溝槽的半導體襯底中形成源極/漏極區；

在包括所述凹陷柵極的半導體襯底上方形成層間絕緣層；

蝕刻所述層間絕緣層以形成接觸孔，通過所述接觸孔在所述凹陷柵極兩側暴露出溝槽底部的源極/漏極區和所述半導體襯底中的源極/漏極區；

形成填充所述接觸孔的接觸塞；和

形成連接至所述接觸塞且平行于所述凹陷柵極的金屬線。

2.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中所述接觸孔包括通過其暴露出所述溝槽底部的源極/漏極區的第一接觸孔和通過其暴露出所述半導體襯底中的源極/漏極區的第二接觸孔。

3.如權利要求2所述的制造半導體器件的方法，其中所述第一接觸孔和所述第二接觸孔互連以形成線圖案形式的所述接觸塞。

4.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中通過以0°至20°的傾角和30°至40°的扭轉角離子注入N+雜質來形成所述源極/漏極區。

5.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中通過以1.0×10¹⁵至9.0×10²⁰離子/cm²的劑量和10至20KeV的注入能量離子注入N+雜質來形成所述源極/漏極區。

6.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中通過以0°至20°的傾角和30°至40°的扭轉角離子注入P+雜質來形成所述源極/漏極區。

7.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中通過以1.0×10¹⁵至9.0×10²⁰離子/cm²的劑量和10至20KeV的注入能量離子注入P+雜質來形成所述源極/漏極區。

8.一種制造半導體器件的方法，該方法包括以下步驟：

在半導體襯底的有源區中沿一個方向形成多個溝槽；

在包括所述溝槽的半導體襯底上形成與所述溝槽交叉的凹陷柵極；

在所述凹陷柵極兩側的包括所述溝槽的半導體襯底中形成源極/漏極區；

在包括所述凹陷柵極的半導體襯底上方形成第一層間絕緣層；

蝕刻所述第一層間絕緣層以形成第一接觸孔，通過所述第一接觸孔在所述凹陷柵極兩側暴露出溝槽底部的源極/漏極區；

形成填充所述第一接觸孔的定位接觸塞；

在包括所述定位接觸塞的半導體襯底上方形成第二層間絕緣層；

蝕刻所述第二層間絕緣層以形成第二接觸孔，通過所述第二接觸孔暴露出所述定位接觸塞和在所述半導體襯底中的源極/漏極區；

形成金屬線接觸塞以填充所述第二接觸孔；和

形成連接至所述金屬線接觸塞且平行于所述凹陷柵極的金屬線。

9.如權利要求8所述的制造半導體器件的方法，其中所述第二接觸孔包括通過其暴露出所述定位接觸塞的第三接觸孔和通過其暴露出所述半導體襯底中的源極/漏極區的第四接觸孔。

10.如權利要求9所述的制造半導體器件的方法，其中所述第三接觸孔和所述第四接觸孔互連以形成線圖案形式的所述接觸塞。

11.如權利要求8所述的制造半導體器件的方法，其中通過以0°至20°的傾角和30°至40°的扭轉角離子注入N+雜質來形成所述源極/漏極區。

12.如權利要求8所述的制造半導體器件的方法，其中通過以1.0×10¹⁵至9.0×10²⁰離子/cm²的劑量和10至20KeV的注入能量離子注入N+雜質來形成所述源極/漏極區。

13.如權利要求8所述的制造半導體器件的方法，其中通過以0°至20°的傾角和30°至40°的扭轉角離子注入P+雜質來形成所述源極/漏極區。