[發明專利]銘版結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200810089655.5
• 申請日: 2008-04-11
• 公開（公告）號: CN101556754A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發明（設計）人: 陳志盟;邱德誠;邱健臺
• 申請（專利權）人: 嵩格光電股份有限公司
• 主分類號: G09F7/00
• 分類號: G09F7/00;B32B33/00;B44F1/00;G03F7/20;B29C45/00
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 洪;霍育棟

技術領域

本發明是有關于一種銘版結構及其制造方法，且特別是有關于一種質輕、成本低廉且具金屬質感的銘版結構及其制造方法。

背景技術

目前的銘版可分為塑膠銘版與金屬銘版兩種，其中在金屬銘版的制程中，多是在金屬材料上以機械加工或蝕刻的方式制作出極具立體感的圖文，加上金屬材料本身具有表面光亮的特性，故金屬銘版具有較為美觀的優點。然而，金屬銘版通常成本高且制程費時，又不易印刷，且一般的金屬銘版厚重且撓性差，以致于具有不便貼附于輕薄物品或是弧形物品的缺點。此外，塑膠銘版雖然具有輕且薄，并方便貼附于各種物品上的優點，但其卻僅能顯現出平面式的圖文，又不具金屬質感，外觀上較金屬銘版單調無變化。

因此，需使用何種材料及制程來制作銘版才能使其同時兼具金屬銘版與塑膠銘版的優點，實為相關產業亟欲探討與研發的方向之一。

發明內容

有鑒于現有技術所制成的金屬銘版與塑膠銘版分別存在有高成本、制程耗時、厚重、撓性差、不易印刷及不具立體感及金屬質感的問題，本發明遂揭露一種銘版結構及其制造方法，以提供兼具成本低廉、容易印刷、具可撓性易貼附、輕且薄，以及有金屬質感與立體感之優點的銘版。

本發明提供一種銘版的制造方法，其實行步驟包括：提供具有第一表面與第二表面的透光基板，其中透光基板的第一表面具有至少一組圖案；在該透光基板的該第一表面上形成至少一色層；于該色層上形成至少一共形反射層；以及于該共形反射層上形成至少一第一保護層。

本發明提供一種銘版結構，包括透光基板、至少一色層、至少一共形反射層以及至少一第一保護層。其中，透光基板具有第一表面及第二表面，且第一表面具有至少一組圖案；色層是配置于透光基板的第一表面上，共形反射層是配置于色層上，第一保護層則是配置于共形反射層上。

本發明所揭露的銘版結構及其制造方法如上，與現有技術之間的差異在于本發明是先在光阻層上形成納米等級的圖案，接著將此圖案轉印至銘版制程中所需的射出成型的母模上，并利用此母模進行射出成型，以將納米等級的圖案復制于塑膠基板上，使塑膠基板具有納米等級的圖案。后續再于塑膠基板上形成共形反射層，以顯現出因光線在這些圖案間產生衍射而造成的炫彩效果。通過上述手段，本發明可以制程時間短、容易印刷、具可撓性易貼附、輕且薄及成本低廉的塑膠材質，制作出具有金屬質感及立體感圖案的銘版。

附圖說明

圖1A至圖1C為本發明銘版在第一實施例中的制造流程剖面示意圖。

圖2A至圖2E為本發明的透光基板在一實施例中的制造流程剖面示意圖。

圖3為本發明銘版在第二實施例中的剖面示意圖。

圖4為本發明銘版在第三實施例中的剖面示意圖。

圖5為本發明銘版母基板在第四實施例中的剖面示意圖。

圖6為本發明銘版母基板在第二實施例中的剖面示意圖。

圖7為本發明銘版母基板在第三實施例中的剖面示意圖。

具體實施方式

以下將配合附圖及實施例來詳細說明本發明的實施方式，藉此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題并達成技術效果的實現過程能充分理解并據以實施。

圖1A至圖1C繪示為本發明銘版在第一實施例中的制造流程剖面示意圖。請參照圖1A，首先提供透光基板110，其中透光基板110的第一表面112是具有圖案113，而圖案113可以包括文字(如廠商名或產品名等)、數字、符號及圖像(如商標等)至少其中之一。構成透光基板110的材質例如是透光性佳的聚合物材料，如聚苯乙烯(polystyrene，PS)、環烯烴共聚物(metallocene?based?Cyclic?Olefin?Copolymer，mCOC)或聚碳酸酯(polycarbonate，PC)等。而且，透光基板110例如是通過射出成型制程所形成。以下將舉實施例詳述形成透光基板110的流程。

圖2A至圖2E繪示為本發明的透光基板在一實施例中的制造流程剖面示意圖。請參照圖2A，首先在底板101上形成具有第一圖案102a的圖案化光阻層102，其中底板101例如是一玻璃板，而形成圖案化光阻層102的方法例如是先在底板101上形成一層光阻層(未繪示)，然后再對此光阻層進行曝光及顯影制程，即可形成圖案化光阻層102。其中，此光阻層的曝光制程中所使用的光源例如是波長介于0.7微米至0.75微米之間的激光，以便于在光阻層上蝕刻出納米等級的第一圖案102a。具體來說，本實施例在曝光制程中所使用的光源是波長為0.74微米的激光，而圖案化光阻層102的第一圖案102a的高度h例如是介于60微米至110微米之間。