[發明專利]半導體層有效
| 申請號： | 200810089385.8 | 申請日： | 2004-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN101257079A | 公開（公告）日： | 2008-09-03 |
| 發明（設計）人： | 一之瀨升;島村清史;青木和夫;恩卡納西翁·安東尼亞·加西亞·比略拉 | 申請（專利權）人： | 株式會社光波 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 蔣亭;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 | ||
【權利要求書】：
1.發光元件，其特征在于包含：β-Ga2O3基板、在所述β-Ga2O3基板上形成的GaN系半導體層、以及在所述GaN系半導體上形成的雙異型發光層。
2.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述雙異型發光層包含：Si摻雜GaN層、在所述Si摻雜GaN層上形成的未摻雜InGaN層、以及在所述未摻雜InGaN層上形成的Mg摻雜GaN層或Mg摻雜AlGaN層。
3.發光元件，其特征在于包含：β-Ga2O3基板、以及在所述β-Ga2O3基板上形成的多量子阱層。
4.根據權利要求3所述的發光元件，其特征在于，所述多量子阱層包含：未摻雜InGaN層的阱層、以及In組成比與所述阱層不同的未摻雜InGaN層的阻擋層。
5.半導體基板的制作方法，其特征在于包含：
在β-Ga2O3基板上形成GaN系半導體層的步驟；
在所述GaN系半導體層上形成GaN系外延層的步驟；以及
從所述GaN系外延層削除所述β-Ga2O3基板和所述GaN系半導體層，制作所述GaN系外延層的基板的步驟。
6.根據權利要求5所述的半導體基板的制作方法，其特征在于，所述GaN系外延層是GaN層、InGaN層、AlGaN層、或InGaAlN層。
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