[發(fā)明專利]CMOS圖像傳感器封裝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810089197.5 | 申請日: | 2008-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN101369574A | 公開(公告)日: | 2009-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 權(quán)寧度;李星;金弘源 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L25/16;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 章社杲;尚志峰 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | cmos 圖像傳感器 封裝 | ||
相關(guān)申請的交叉參考
本申請要求2007年8月17日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2007-0082912號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán),其公開文件全部結(jié)合于此作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及一種CMOS圖像傳感器封裝。
背景技術(shù)
圖像傳感器芯片是將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為電信號的半導(dǎo)體器件。典型的圖像傳感器組件的實例包括電荷耦合器件(CCD)和CMOS圖像傳感器。
CMOS圖像傳感器利用控制電路和位于MOS晶體管周圍的信號處理電路并且采用使用MOS晶體管的切換技術(shù)來順序地檢測輸出,其中,MOS晶體管的數(shù)量等于像素的數(shù)量。
隨著對裝配在當(dāng)前移動裝置中的數(shù)碼相機模塊中的更多種類的功能、更小的尺寸、以及更低的成本的需求的增加,針對減小圖像傳感器封裝的尺寸一直在進行大量的努力。對于使用CMOS圖像傳感器的圖像傳感器封裝,減小封裝尺寸的嘗試包括采用CLCC(Ceramic?Leadless?Chip?Carrier,陶瓷無引線片式載體)或COB(Chip-on-board,板上芯片)系統(tǒng)。
圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器封裝的截面圖,圖2是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器封裝的平面圖,以及圖3是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器封裝的結(jié)構(gòu)的示意圖。傳統(tǒng)的CMOS圖像傳感器封裝100可以包括:CMOS圖像傳感器芯片120、160,其包括像素陣列122、162和用于處理從像素陣列輸出的信息的控制IC124、164;以及其他裝配在襯底110上的無源組件140;以及用于電連接的導(dǎo)線150。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器封裝100可以具有在一個芯片中實現(xiàn)的像素陣列122、162和控制IC124、164,還具有裝配在襯底上的其他無源組件,諸如電容器、電感器、電阻器等。這樣,可能增加CMOS圖像傳感器芯片120、160和CMOS圖像傳感器封裝100的整體尺寸。從而,需要一種減小尺寸的CMOS圖像傳感器封裝,以與更小產(chǎn)品的趨勢同步。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面是將CMOS圖像傳感器芯片中的像素陣列傳感器和控制芯片分開并將控制芯片和無源組件插入到襯底中形成的多個空腔中,以提供具有減小尺寸的CMOS圖像傳感器。
本發(fā)明的一個方面提供了一種CMOS圖像傳感器封裝,包括:襯底,其上形成有預(yù)設(shè)計的電路圖案,并且其中形成空腔;像素陣列傳感器,其與電路圖案電連接并堆疊在襯底的一側(cè);以及控制芯片,其與電路圖案電連接并被保持在空腔內(nèi)。
像素陣列傳感器可以包括被配置成接收光作為輸入并產(chǎn)生電信號作為輸出的像素陣列,其中,像素陣列可以包括微透鏡(microlens)、對應(yīng)于微透鏡的位置設(shè)置的濾色器陣列、以及對應(yīng)于濾色器陣列的位置設(shè)置的光電二極管。
控制芯片可以被配置成接收由像素陣列傳感器輸出的電信號作為輸入并產(chǎn)生視頻信號作為輸出。
在特定實施例中,CMOS圖像傳感器封裝可以進一步包括電連接電路圖案和像素陣列傳感器的導(dǎo)線。
CMOS圖像傳感器封裝還可以包括與電路圖案電連接并保持在空腔內(nèi)的無源組件。
根據(jù)本發(fā)明的特定方面,CMOS圖像傳感器芯片可以被分成像素陣列傳感器和控制芯片,控制芯片和無源組件嵌入形成在襯底中的多個空腔中,使得裝配在襯底上的芯片的尺寸可以減小,從而CMOS圖像傳感器封裝的整體尺寸可以減小。
將在以下描述中部分地闡述本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點,并且部分地將從該描述變得明顯或者可以通過實施本發(fā)明來了解。
附圖說明
圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器封裝的截面圖。
圖2是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器封裝的平面圖。
圖3是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器封裝的結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的CMOS圖像傳感器封裝的截面圖。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的CMOS圖像傳感器封裝的平面圖。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的CMOS圖像傳感器封裝的像素陣列傳感器中的單位傳感器的示意圖。
具體實施方式
將在以下參考附圖更詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的特定實施例的CMOS圖像傳感器封裝。相同或相應(yīng)的那些組件被給予相同的參考標(biāo)號而與圖的標(biāo)號無關(guān),并且省略冗余的解釋。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的CMOS圖像傳感器封裝的截面圖,圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的CMOS圖像傳感器封裝的平面圖,以及圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的CMOS圖像傳感器封裝的像素陣列傳感器中的單位傳感器的示意圖。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





