[發(fā)明專利]SOI基板的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810088669.5
• 申請日: 2008-04-10
• 公開（公告）號: CN101286444A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 川合信;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;飛坂優(yōu)二;秋山昌次
• 申請（專利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 吳小瑛;劉春生

1.一種SOI基板的制造方法，其特征在于，包括：

工序A，是從晶格間氧濃度為1×10¹⁸cm^-3以下的單晶硅基板的主面，注入氫離子；

工序B，是對透明絕緣性基板和上述硅基板的至少一方的主面，施行活化處理；

工序C，是在室溫下貼合上述透明絕緣性基板的主面和上述硅基板的主面彼此之間；

工序D，是將該貼合后的基板以350℃以上550℃以下的溫度，進行熱處理；以及

工序E，是從上述硅基板，機械性地剝離硅薄膜，而在上述透明絕緣性基板的主面上，形成硅膜。

2.如權(quán)利要求1所述的SOI基板的制造方法，其中，上述單晶硅基板的晶格間氧濃度為5×10¹⁷cm^-3以下。

3.如權(quán)利要求1所述的SOI基板的制造方法，其中，在上述工序D中的熱處理溫度，是在400℃以上500℃以下。

4.如權(quán)利要求2所述的SOI基板的制造方法，其中，在上述工序D中的熱處理溫度，是在400℃以上500℃以下。

5.如權(quán)利要求1所述的SOI基板的制造方法，其中，在上述工序D中的熱處理后的冷卻速度，是5℃/分鐘以下。

6.如權(quán)利要求2所述的SOI基板的制造方法，其中，在上述工序D中的熱處理后的冷卻速度，是5℃/分鐘以下。

7.如權(quán)利要求3所述的SOI基板的制造方法，其中，在上述工序D中的熱處理后的冷卻速度，是5℃/分鐘以下。

8.如權(quán)利要求4所述的SOI基板的制造方法，其中，在上述工序D中的熱處理后的冷卻速度，是5℃/分鐘以下。

9.如權(quán)利要求1～8中任一項所述的SOI基板的制造方法，其中，上述工序B的活化處理，是等離子體處理或臭氧處理的至少一種。

10.如權(quán)利要求1～8中任一項所述的SOI基板的制造方法，其中，上述透明絕緣性基板，是石英基板、藍寶石基板、硼硅酸玻璃基板或結(jié)晶玻璃基板的任一種。

11.如權(quán)利要求9所述的SOI基板的制造方法，其中，上述透明絕緣性基板，是石英基板、藍寶石基板、硼硅酸玻璃基板或結(jié)晶玻璃基板的任一種。