[發明專利]SOI基板的制造方法

有效

• 申請號: 200810088667.6
• 申請日: 2008-04-10
• 公開（公告）號: CN101286442A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;川合信;飛坂優二;田中好一
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 吳小瑛;劉春生

1.一種SOI基板的制造方法，其特征在于，包括：

工序A，是貼合硅基板和絕緣性基板的表面彼此之間，該硅基板在最表面具有深度L的高濃度硼添加p層；

工序B，是通過至少包含化學性蝕刻的工序的薄板化方法，從背面將上述貼合后的硅基板薄板化，使該硅基板的厚度為L以下；以及

工序C，是對上述厚度L以下的硅層，在含氫氣氛中施行熱處理。

2.如權利要求1所述的SOI基板的制造方法，其中，上述高濃度硼添加p層的電阻率為0.01Ωcm以下。

3.如權利要求1所述的SOI基板的制造方法，其中，上述高濃度硼添加p層的從硅基板的最表面算起的深度L為10μm以下。

4.如權利要求2所述的SOI基板的制造方法，其中，上述高濃度硼添加p層的從硅基板的最表面算起的深度L為10μm以下。

5.如權利要求1所述的SOI基板的制造方法，其中，上述化學性蝕刻中所使用的蝕刻劑，是含有氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銫、氫氧化銨、乙二胺-鄰苯二酚或氫氧化四甲銨的堿性水溶液。

6.如權利要求2所述的SOI基板的制造方法，其中，上述化學性蝕刻中所使用的蝕刻劑，是含有氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銫、氫氧化銨、乙二胺-鄰苯二酚或氫氧化四甲銨的堿性水溶液。

7.如權利要求3所述的SOI基板的制造方法，其中，上述化學性蝕刻中所使用的蝕刻劑，是含有氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銫、氫氧化銨、乙二胺-鄰苯二酚或氫氧化四甲銨的堿性水溶液。

8.如權利要求4所述的SOI基板的制造方法，其中，上述化學性蝕刻中所使用的蝕刻劑，是含有氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銫、氫氧化銨、乙二胺-鄰苯二酚或氫氧化四甲銨的堿性水溶液。

9.如權利要求1所述的SOI基板的制造方法，其中，在上述含氫氣氛中的熱處理溫度，是700℃～1250℃。

10.如權利要求2所述的SOI基板的制造方法，其中，在上述含氫氣氛中的熱處理溫度，是700℃～1250℃。

11.如權利要求3所述的SOI基板的制造方法，其中，在上述含氫氣氛中的熱處理溫度，是700℃～1250℃。

12.如權利要求4所述的SOI基板的制造方法，其中，在上述含氫氣氛中的熱處理溫度，是700℃～1250℃。

13.如權利要求1所述的SOI基板的制造方法，其中，上述工序A，包括：對上述絕緣性基板和上述硅基板的至少一方的表面，施行活化處理的表面處理工序；及在室溫下貼合上述絕緣性基板和上述硅基板的表面彼此之間的工序。

14.如權利要求2所述的SOI基板的制造方法，其中，上述工序A，包括：對上述絕緣性基板和上述硅基板的至少一方的表面，施行活化處理的表面處理工序；及在室溫下貼合上述絕緣性基板和上述硅基板的表面彼此之間的工序。

15.如權利要求3所述的SOI基板的制造方法，其中，上述工序A，包括：對上述絕緣性基板和上述硅基板的至少一方的表面，施行活化處理的表面處理工序；及在室溫下貼合上述絕緣性基板和上述硅基板的表面彼此之間的工序。

16.如權利要求4所述的SOI基板的制造方法，其中，上述工序A，包括：對上述絕緣性基板和上述硅基板的至少一方的表面，施行活化處理的表面處理工序；及在室溫下貼合上述絕緣性基板和上述硅基板的表面彼此之間的工序。

17.如權利要求13～16中任一項所述的SOI基板的制造方法，其中，上述活化處理，是等離子體處理或臭氧處理的至少一種。

18.如權利要求1～16中任一項所述的SOI基板的制造方法，其中，上述絕緣性基板，是石英基板、藍寶石基板、硼硅酸玻璃基板、結晶玻璃基板或是碳化硅基板的任一種。

19.如權利要求17所述的SOI基板的制造方法，其中，上述絕緣性基板，是石英基板、藍寶石基板、硼硅酸玻璃基板、結晶玻璃基板或是碳化硅基板的任一種。