[發明專利]抗蝕劑圖案的形成方法和通過該方法制造的半導體裝置

無效

• 申請號: 200810088573.9
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101276158A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 石橋健夫;寺井護;萩原琢也;山口敦美
• 申請（專利權）人: 株式會社瑞薩科技
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/16;G03F7/26;H01L21/027
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 龐立志;李平英

1.抗蝕劑圖案的形成方法，該方法為在形成有被加工膜(2)的半導體裝置的基板(1)上配置物鏡，在所述物鏡與所述基板(1)之間形成液膜進行曝光的通過浸液曝光形成抗蝕劑圖案的方法，其特征在于，

對用至少含有拒水化劑和溶劑的拒水化劑藥液處理了的基板(1)進行曝光。

2.權利要求1所述的抗蝕劑圖案的形成方法，其中，向所述基板(1)供給所述拒水化劑藥液，使所述拒水化劑吸附在所述基板(1)上。

3.權利要求1所述的抗蝕劑圖案的形成方法，其中，所述拒水化劑含有氟類拒水化劑、硅氧烷類拒水化劑、氟-硅氧烷類拒水化劑、硅烷偶聯劑、甲硅烷基化劑、烷基化劑和酰化劑中的至少任意一種。

4.權利要求1所述的抗蝕劑圖案的形成方法，其中，所述被加工膜(2)包含形成于所述基板(1)上的下層有機膜層(8)、含硅中間層(5)和感光性抗蝕劑層(6)，

所述被加工膜(2)通過包含在所述基板(1)上進行旋涂的工序的多層抗蝕劑法形成，

含有至少在所述各旋涂間、最初的旋涂前以及最后的旋涂后的任意時機，用所述拒水化劑藥液進行處理的工序。

5.權利要求4所述的抗蝕劑圖案的形成方法，其中，所述基板(1)具有頂涂層，

包含在形成所述頂涂層前，用所述拒水化劑藥液進行處理的工序。

6.權利要求4所述的抗蝕劑圖案的形成方法，其中，所述拒水化劑藥液含有硅烷偶聯劑。

7.權利要求4所述的抗蝕劑圖案的形成方法，其中，所述用拒水化劑藥液進行處理的工序為對所述基板(1)的側面、以及所述基板(1)的頂面的周緣部、所述基板(1)的底面的周緣部或者基板(1)的頂面的周緣部和基板(1)的底面的周緣部進行處理的工序。

8.權利要求4所述的抗蝕劑圖案的形成方法，其中，所述用拒水化劑藥液進行處理的工序為對所述基板(1)的側面、所述基板(1)的頂面、和基板(1)的底面的周緣部進行處理的工序。

9.權利要求4所述的抗蝕劑圖案的形成方法，其中，將2種以上所述拒水化劑混合使用。

10.權利要求4所述的抗蝕劑圖案的形成方法，其中，所述用拒水化劑藥液進行處理的工序在

于所述基板(1)上形成涂布膜的工序和

于所述基板(1)的側面、所述基板(1)的頂面的周緣部和所述基板(1)的底面的周緣部通過溶解所述涂布膜的溶劑除去所述涂布膜工序之后進行，

對溶解除去了所述涂布膜的區域通過所述拒水化劑藥液進行處理。

11.權利要求1所述的抗蝕劑圖案的形成方法，其中，所述基板(1)在所述基板(1)上具有感光性抗蝕劑層(6)，

所述感光性抗蝕劑層(6)通過包含在所述基板(1)上進行旋涂的工序的光刻工序形成，

包含至少在所述各旋涂間、最初的旋涂前以及最后的旋涂后的任意時機，用所述拒水化劑藥液進行處理的工序。

12.權利要求1所述的抗蝕劑圖案的形成方法，其中，在所述拒水化劑藥液中含有水、酸和堿的至少任意一種以上。

13.半導體裝置，其通過權利要求1所述的抗蝕劑圖案的形成方法制造。