[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光器芯片及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810088459.6
• 申請(qǐng)日: 2008-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN101276995A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 近江晉;岸本克彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 夏普株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/22
• 分類號(hào): H01S5/22
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 彭久云

1、一種制造半導(dǎo)體激光器芯片的方法，包括：

在基板上形成半導(dǎo)體元件層的步驟，該半導(dǎo)體元件層包括含有蝕刻標(biāo)記層的多個(gè)半導(dǎo)體層；

在該半導(dǎo)體元件層中的預(yù)定區(qū)域中形成凹陷部分的步驟，該凹陷部分具有沒有到達(dá)該蝕刻標(biāo)記層的預(yù)定深度；以及

通過干法蝕刻來蝕刻該半導(dǎo)體元件層并同時(shí)監(jiān)測(cè)在該凹陷部分的底區(qū)域的蝕刻深度而在該半導(dǎo)體元件層中形成脊部分的步驟。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中形成該脊部分的步驟包括：

通過光學(xué)方法檢測(cè)該凹陷部分的深度是否已經(jīng)到達(dá)該蝕刻標(biāo)記層的步驟；以及

在檢測(cè)該凹陷部分的深度已經(jīng)到達(dá)該蝕刻標(biāo)記層之后且在沒有形成該凹陷部分的該半導(dǎo)體元件層的區(qū)域中的蝕刻深度到達(dá)該蝕刻標(biāo)記層之前的預(yù)定時(shí)間點(diǎn)停止蝕刻的步驟。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中形成該凹陷部分的步驟包括：

在不形成該凹陷部分的該半導(dǎo)體元件層的區(qū)域上形成掩模層并且用該掩模層作為掩模蝕刻該半導(dǎo)體元件層的步驟。

4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，

其中用該掩模層作為掩模蝕刻該半導(dǎo)體元件層的步驟包括：

通過干法蝕刻來蝕刻該半導(dǎo)體元件層的步驟。

5、根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，

其中用該掩模層作為掩模蝕刻該半導(dǎo)體元件層的步驟包括：

通過濕法蝕刻來蝕刻該半導(dǎo)體元件層的步驟。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，

其中形成該凹陷部分的步驟還包括：

在通過濕法蝕刻來蝕刻該半導(dǎo)體元件層的步驟之前通過干法蝕刻來蝕刻該半導(dǎo)體元件層的步驟。

7、根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，

其中該掩模層由光敏樹脂形成，并且

其中用該掩模層作為掩模蝕刻該半導(dǎo)體元件層的步驟包括：

通過采用游離基氧灰化去除該掩模層的步驟。

8、根據(jù)權(quán)利要求1至7任何一個(gè)所述的方法，

其中形成該脊部分的步驟包括：

在通過干法蝕刻來蝕刻該半導(dǎo)體元件層之后，通過濕法蝕刻進(jìn)一步蝕刻該半導(dǎo)體元件層的步驟。

9、根據(jù)權(quán)利要求1至7任何一個(gè)所述的方法，

其中該半導(dǎo)體元件層形成在半導(dǎo)體晶片上，以及

其中形成該凹陷部分的步驟還包括：

在鄰近該半導(dǎo)體晶片的中心部分中形成的一個(gè)或者多個(gè)凹陷部分作為該凹陷部分的步驟。

10、一種半導(dǎo)體激光器芯片，包括：

半導(dǎo)體元件層，形成在基板上，并且包括含有蝕刻標(biāo)記層的多個(gè)半導(dǎo)體層；和

脊部分，通過蝕刻該半導(dǎo)體元件層來形成，

其中該脊部分形成在該蝕刻標(biāo)記層上。

11、根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體激光器芯片，

其中該脊部分形成為與該蝕刻標(biāo)記層上的預(yù)定區(qū)域接觸。