[發明專利]SOI襯底的制造方法、以及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200810088432.7
• 申請日: 2008-03-31
• 公開（公告）號: CN101308782A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 宮入秀和;下村明久;溝井達也;比嘉榮二;永野庸治
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/84
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 秦晨

1.一種SOI襯底的制造方法，包括如下步驟：

在半導體襯底上形成保護膜；

通過對所述半導體襯底照射離子束，在所述半導體襯底中形成離 子注入層；

通過CVD法在所述保護膜上形成氧化硅膜；

在支撐襯底上形成絕緣層；

中間夾著所述保護膜、所述氧化硅膜和所述絕緣層接合所述半導 體襯底和所述支撐襯底；

通過加熱所述半導體襯底和所述支撐襯底，在所述離子注入層中 分離所述半導體襯底的一部分，而在所述支撐襯底上留下半導體層；

對所述半導體層照射激光束；

通過蝕刻所述半導體層，減薄所述半導體層，

其中，通過激發包含選自氫氣體、稀有氣體、鹵氣體以及鹵化合 物氣體中的一種或多種氣體的源氣體，來形成所述離子束。

2.根據權利要求1所述的SOI襯底的制造方法，其中在形成所述 離子注入層之后去掉所述保護膜。

3.根據權利要求1所述的SOI襯底的制造方法，其中減薄所述半 導體層，以使所述半導體層具有100nm以下的厚度。

4.根據權利要求1所述的SOI襯底的制造方法，其中所述離子束 包含H⁺、H₂⁺、以及H₃⁺。

5.根據權利要求1所述的SOI襯底的制造方法，其中使用離子摻 雜裝置進行所述離子束的照射。

6.根據權利要求1所述的SOI襯底的制造方法，其中在對所述半 導體襯底照射所述離子束之前對所述離子束進行質量分離。

7.根據權利要求1所述的SOI襯底的制造方法，其中所述支撐襯 底是絕緣襯底。

8.根據權利要求1所述的SOI襯底的制造方法，其中所述氧化硅 膜使用選自有機硅烷氣體、硅烷以及乙硅烷中的一種形成。

9.一種SOI襯底的制造方法，包括如下步驟：

在半導體襯底上形成保護膜；

通過對所述半導體襯底照射離子束，在所述半導體襯底中形成離 子注入層；

去掉所述保護膜；

在所述半導體襯底上形成絕緣層；

通過CVD法在所述絕緣層上形成氧化硅膜；

中間夾著所述絕緣層和所述氧化硅膜接合所述半導體襯底和支 撐襯底；

通過加熱所述半導體襯底和所述支撐襯底，在所述離子注入層中 分離所述半導體襯底的一部分，而在所述支撐襯底上留下半導體層；

對所述半導體層照射激光束；

通過蝕刻所述半導體層，減薄所述半導體層，

其中，通過激發包含選自氫氣體、稀有氣體、鹵氣體以及鹵化合 物氣體中的一種或多種氣體的源氣體，來形成所述離子束。

10.根據權利要求9所述的SOI襯底的制造方法，其中在形成所 述氧化硅膜之后形成所述離子注入層。

11.根據權利要求9所述的SOI襯底的制造方法，其中減薄所述 半導體層，以使所述半導體層具有100nm以下的厚度。

12.根據權利要求9所述的SOI襯底的制造方法，其中所述離子 束包含H⁺、H₂⁺、以及H₃⁺。

13.根據權利要求9所述的SOI襯底的制造方法，其中使用離子 摻雜裝置進行所述離子束的照射。

14.根據權利要求9所述的SOI襯底的制造方法，其中在對所述 半導體襯底照射所述離子束之前對所述離子束進行質量分離。

15.根據權利要求9所述的SOI襯底的制造方法，其中所述支撐 襯底是絕緣襯底。

16.根據權利要求9所述的SOI襯底的制造方法，其中所述氧化 硅膜使用選自有機硅烷氣體、硅烷以及乙硅烷中的一種形成。