[發明專利]空白掩模和使用該空白掩模制造光掩模的方法

無效

• 申請號: 200810088419.1
• 申請日: 2008-03-26
• 公開（公告）號: CN101373322A
• 公開（公告）日: 2009-02-25
• 發明（設計）人: 河泰中
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/14
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種空白掩模，所述空白掩模包括蝕刻目標層、抗蝕劑層、和布置在所述蝕刻目標層和抗蝕劑層之間的碳層。

2.根據權利要求1的空白掩模，其中所述蝕刻目標層是遮光層。

3.根據權利要求1的空白掩模，其中所述蝕刻目標層包括相移層和遮光層。

4.根據權利要求1的空白掩模，還包括布置在所述碳層和抗蝕劑層之間的氧化物層。

5.根據權利要求4的空白掩模，其中所述氧化物層對于所述碳層的蝕刻率之比是大約1比10。

6.根據權利要求4的空白掩模，其中所述氧化物層的厚度是所述碳層的厚度的九分之一至十分之一。

7.一種制造光掩模的方法，所述方法包括:

在透明襯底上形成遮光層和碳層；

通過使用選擇性地暴露所述碳層的抗蝕劑層圖案的第一蝕刻工藝，選擇性地蝕刻碳層來形成碳層圖案；

通過使用所述碳層圖案作為硬掩模的第二蝕刻工藝蝕刻所述遮光層，從而形成遮光層圖案；以及

去除所述碳層圖案。

8.根據權利要求7的方法，其中所述遮光層包括鉻。

9.根據權利要求7的方法，還包括在所述碳層上形成氧化物層。

10.根據權利要求9的方法，其中所述氧化物層對于所述碳層的蝕刻率之比是大約1比10。

11.根據權利要求7的方法，其中所述第一蝕刻工藝是使用氧等離子體的干法蝕刻工藝。

12.根據權利要求7的方法，其中所述第二蝕刻工藝是干法或者濕法蝕刻工藝。

13.根據權利要求7的方法，其中所述碳層圖案的去除使用氧等離子體進行。

14.一種制造光掩模的方法，所述方法包括:

在透明襯底上形成相移層、遮光層、和碳層；

使用能夠選擇性地暴露所述碳層的第一抗蝕劑層圖案的第一蝕刻工藝，選擇性地蝕刻所述碳層，從而形成碳層圖案；

通過使用所述碳層圖案作為硬掩模的第二蝕刻工藝，選擇性地蝕刻所述遮光層和相移層，從而形成遮光層圖案和相移層圖案；

去除所述碳層圖案；

形成能夠選擇性地暴露其上形成有所述遮光層圖案和相移層圖案的所述透明襯底的第二抗蝕劑層圖案；

蝕刻被所述第二抗蝕劑層圖案所暴露的所述遮光層圖案；以及

去除所述第二抗蝕劑層圖案。

15.根據權利要求14的方法，其中所述相移層包括氧氮鉬硅，并且所述遮光層包括鉻。

16.根據權利要求14的方法，還包括在所述碳層上形成氧化物層。

17.根據權利要求16的方法，其中所述氧化物層對于所述碳層的蝕刻率之比是大約1比10。

18.根據權利要求14的方法，其中所述第一蝕刻工藝是使用氧等離子體的干法蝕刻工藝。

19.根據權利要求14的方法，其中所述第二蝕刻工藝是干法或者濕法蝕刻工藝。

20.根據權利要求14的方法，其中所述碳層圖案的去除使用氧等離子體進行。