[發(fā)明專利]應(yīng)用HDP淀積的源－體注入阻擋塊的器件結(jié)構(gòu)及制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810088263.7
• 申請(qǐng)日: 2008-04-29
• 公開（公告）號(hào): CN101299436A
• 公開（公告）日: 2008-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安荷·叭剌;弗蘭茨娃·赫爾伯特;戴嵩山;雷燮光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/772
• 分類號(hào): H01L29/772;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華;翁若瑩

1.一種制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，該方法包括：

從半導(dǎo)體襯底的頂表面打開多個(gè)溝道，然后使用高密度等離子氧化方法 同時(shí)形成溝道底部的厚氧化層、溝道側(cè)壁上的薄氧化層及襯底頂表面上的厚 氧化層，實(shí)行氧化濕刻蝕以刻去包圍溝道的側(cè)壁的薄氧化層以及溝道附近的 厚氧化層的一部分，僅留下臺(tái)面區(qū)域中的厚氧化層及溝道底部的厚氧化層， 并且在所述溝道的側(cè)壁上形成柵絕緣層；

用在臺(tái)面區(qū)域的所述頂表面上方距所述溝道一定距離之處的厚氧化層形 成阻擋體注入離子和源離子進(jìn)入臺(tái)面下方的襯底的注入離子阻擋塊，由此用 于制造所述半導(dǎo)體功率器件的掩模數(shù)能夠得以減少；

所述的臺(tái)面區(qū)域具有可控制的寬度；

以所述的注入離子阻擋塊對(duì)臺(tái)面區(qū)域進(jìn)行阻擋，將體離子注入到所述半 導(dǎo)體襯底中；并將所述體離子擴(kuò)散到一合并體區(qū)域中，該合并體區(qū)域是由設(shè) 置在溝道柵的相對(duì)兩側(cè)的兩個(gè)分離體區(qū)域合并的。

2.如權(quán)利要求1所述的制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，形成 所述的注入離子阻擋塊的步驟，進(jìn)一步包括在所述臺(tái)面區(qū)域中形成具有大于 0.3微米厚度的氧化層的步驟。

3.如權(quán)利要求1所述的制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，形成 所述的注入離子阻擋塊的步驟，進(jìn)一步包括應(yīng)用化學(xué)氣相淀積形成氧化層的 步驟。

4.如權(quán)利要求1所述的制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，形成 所述的注入離子阻擋塊的步驟，進(jìn)一步包括應(yīng)用熱氧化形成氧化層的步驟。

5.如權(quán)利要求1所述的制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，形成 所述的注入離子阻擋塊的步驟，進(jìn)一步包括應(yīng)用高密度等離子淀積工藝淀積 臺(tái)面區(qū)域中的氧化層的步驟。

6.如權(quán)利要求1所述的制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，該方 法進(jìn)一步包括：

應(yīng)用高密度等離子淀積工藝在溝道柵的底表面上淀積具有大于襯墊溝道 柵側(cè)壁的柵氧化層厚度的厚氧化層；和

應(yīng)用所述的高密度等離子淀積工藝在所述溝道底表面上淀積厚氧化層的 同時(shí)，形成注入離子阻擋塊，以形成作為臺(tái)面區(qū)域中的注入離子阻擋塊，且 具有大于0.3微米厚度的高密度等離子氧化層。

7.如權(quán)利要求1所述的制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，該方 法進(jìn)一步包括：制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，作為所述的半導(dǎo) 體功率器件。

8.如權(quán)利要求1所述的制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，該方 法進(jìn)一步包括：制造N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，作為所述 的半導(dǎo)體功率器件。

9.如權(quán)利要求1所述的制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，該方 法進(jìn)一步包括：制造P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，作為所述 的半導(dǎo)體功率器件。

10.如權(quán)利要求1所述的制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，該 方法進(jìn)一步包括：

在終端區(qū)域形成寬度大于臺(tái)面區(qū)域上的注入離子阻擋塊的注入離子阻擋 塊，用以分離體離子注入?yún)^(qū)域以在所述終端區(qū)域中形成浮動(dòng)的體區(qū)域，因此 在所述終端區(qū)域中由所述浮動(dòng)的體區(qū)域包圍的溝道中至少形成一個(gè)保護(hù)環(huán)。

11.如權(quán)利要求1所述的制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，該 方法進(jìn)一步包括：

以所述的臺(tái)面區(qū)域上的注入離子阻擋塊，注入和擴(kuò)散體離子和源離子， 以形成包圍所述溝道的體區(qū)域和源區(qū)域；和

刻蝕所述注入離子阻擋塊的一部分，用于以比所述體區(qū)域更高的摻雜濃 度注入體摻雜離子，以在所述源區(qū)域和所述體區(qū)域之間形成高濃度摻雜區(qū)域， 從而形成集成的肖特基場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

12.如權(quán)利要求1所述的制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，該 方法進(jìn)一步包括：

在每個(gè)所述溝道中形成作為分裂柵的溝道柵，該分裂柵包括由絕緣層覆 蓋的下柵節(jié)段和位于所述絕緣層上方的上柵節(jié)段。

13.如權(quán)利要求1所述的制造溝道半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，該 方法進(jìn)一步包括：

應(yīng)用高密度等離子淀積工藝在所述溝道的底表面上形成厚氧化層的同 時(shí)，形成注入離子阻擋塊的高密度等離子氧化層，并在每個(gè)所述溝道中形成 分裂柵。