[發明專利]含硅膜的等離子體增強周期化學氣相沉積

無效

• 申請號: 200810088179.5
• 申請日: 2008-02-27
• 公開（公告）號: CN101255548A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: H·思里丹達姆;蕭滿超;雷新建;T·R·加夫尼;E·J·小卡瓦克基
• 申請（專利權）人: 氣體產品與化學公司
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;C23C16/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 孫秀武;韋欣華

1、一種將氮化硅、碳氮化硅、氧氮化硅和羧基氮化硅沉積到半導體襯底上的方法，包括：

a.在遠距等離子體條件下使含氮源與加熱的襯底相接觸以在所述加熱的襯底上吸收至少一部分含氮源，

b.清除任何未被吸收的含氮源，

c.使所述加熱的襯底與具有一個或多個Si-H₃片段的含硅源接觸以與所吸收的含氮源反應，其中所述含硅源具有選自以下組中的一個或多個H₃Si-NR⁰₂(R⁰＝SiH₃，R，R¹或R²，定義如下)基團，該組包括一種或多種的：

其中，式中的R和R¹代表具有2-10個碳原子的脂族基團，其中式A中的R和R¹也可以是環狀基團，且R²選自單鍵、(CH₂)_n、環或SiH₂，和

d.清除未反應的含硅源。

2、權利要求1所述的方法，其中，重復所述方法直到形成所需厚度的膜。

3、權利要求1所述的方法，其是原子層沉積法。

4、權利要求1所述的方法，其是等離子體增強周期化學氣相沉積法。

5、權利要求1所述的方法，其中，所述的襯底溫度范圍為200-600℃。

6、權利要求1所述的方法，其中，所述具有一個或多個Si-H₃片段的含硅源選自二乙基氨基硅烷(DEAS)、二異丙基氨基硅烷(DIPAS)、二叔丁基氨基硅烷(DTBAS)、二仲丁基氨基烷基、二叔戊基氨基硅烷和它們的混合物。

7、權利要求1所述的方法，其中，所述含氮源選自氮、氨、肼、單烷基肼、二烷基肼和它們的混合物。

8、一種將氧氮化硅、羧基氮化硅和摻碳的氧化硅沉積到半導體襯底上的方法，包括：

a.在遠距等離子體條件下使含氧源與加熱的襯底相接觸以在所述加熱的襯底上吸收至少一部分含氧源，

b.清除任何未被吸收的含氧源，

c.使所述加熱的襯底與具有一個或多個Si-H₃片段的含硅源接觸以與所吸收的含氧源反應，其中所述含硅源含有選自以下組中的一個或多個H₃Si-NR⁰₂(R⁰＝SiH₃，R，R¹或R²，定義如下)基團，該組包括一種或多種：

其中，式中的R和R¹代表具有2-10個碳原子的脂族基團，其中式A中的R和R¹也可以是環狀基團，且R²選自單鍵、(CH₂)_n、環或SiH₂，和

d.清除未反應的含硅源。

9、權利要求8所述的方法，其中，重復所述方法直到形成所需厚度的膜。

10、權利要求8所述的方法，其是原子層沉積法。

11、權利要求8所述的方法，其是等離子體增強周期化學氣相沉積法。

12、權利要求8所述的方法，其中，所述的襯底溫度范圍為200-600℃。

13、權利要求8所述的方法，其中，所述具有一個或多個Si-H₃片段的含硅源選自二乙基氨基硅烷(DEAS)、二異丙基氨基硅烷(DIPAS)、二叔丁基氨基硅烷(DTBAS)、二仲丁基氨基烷基、二叔戊基氨基硅烷和它們的混合物。

14、權利要求8所述的方法，其中，所述含氧源選自氧、一氧化二氮、臭氧和它們的混合物。