[發明專利]半導體器件以及用于控制其圖案的方法無效
| 申請號: | 200810088172.3 | 申請日: | 2008-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN101241303A | 公開(公告)日: | 2008-08-13 |
| 發明(設計)人: | 樸俊洙;呂起成;郭判碩;趙漢九;李芝英 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/14 | 分類號: | G03F1/14;G03F7/20;H01L21/00;H01L21/027;H01L21/66;H01L27/02;H01L27/10 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 以及 用于 控制 圖案 方法 | ||
1、一種控制半導體器件的圖案的方法,該方法包括:
在第一次曝光中形成第一圖案以及在第二次曝光中形成第二圖案;
測量該第一圖案和該第二圖案中每個的臨界尺寸;
根據該第一圖案的臨界尺寸控制對該第一圖案的操作;以及
根據該第二圖案的臨界尺寸控制對該第二圖案的操作,其中該第一圖案的臨界尺寸與該第二圖案的臨界尺寸不同。
2、根據權利要求1的方法,還包括:
提供第一信號至該第一圖案;
提供第二信號至該第二圖案;
根據該第一圖案的臨界尺寸控制該第一信號;以及
根據該第二圖案的臨界尺寸控制該第二信號。
3、根據權利要求2的方法,其中控制該第一信號和該第二信號包括控制該第一信號和該第二信號的大小或應用時間。
4、根據權利要求1的方法,還包括在該第一圖案和該第二圖案之上布置多個上圖案,從而在每層布置該上圖案的n個圖案。
5、根據權利要求4的方法,其中基于該上圖案的各自臨界尺寸,控制該上圖案。
6、根據權利要求5的方法,還包括:
提供各信號到所述多個上圖案的每個;以及
根據所提供的各信號控制所述各信號。
7、根據權利要求6的方法,其中通過控制該各信號的大小或應用時間而控制該上圖案。
8、根據權利要求4的方法,還包括:
提供信號到該第一圖案、該第二圖案和該上圖案;以及
根據該第一圖案、該第二圖案和該上圖案各自的臨界尺寸,單獨地控制該信號。
9、根據權利要求4的方法,還包括:
提供信號到該第一圖案、該第二圖案和該上圖案;以及
根據該第一圖案、該第二圖案和該上圖案各自的臨界尺寸,同時地控制該信號。
10、一種控制半導體器件的圖案的方法,該方法包括控制由雙圖案化工藝形成的兩個或更多圖案的電特性,其中根據所述兩個或更多圖案的不同臨界尺寸中的每個控制該電特性。
11、根據權利要求10的方法,還包括:
提供控制信號至該兩個或更多圖案;以及
根據所述不同臨界尺寸中的每個,單獨地控制該控制信號。
12、根據權利要求11的方法,其中單獨地控制該控制信號包括控制該控制信號的大小或應用時間。
13、根據權利要求11的方法,其中該兩個或更多圖案布置在不同層。
14、根據權利要求13的方法,還包括根據該兩個或更多圖案的臨界尺寸,對于所述層中的每個單獨地控制提供給所述圖案的控制信號。
15、根據權利要求14的方法,還包括對于所述層中的每個控制提供給該兩個或更多圖案的該控制信號的大小或應用時間。
16、根據權利要求13的方法,還包括根據圖案的臨界尺寸,同時地控制施加給布置在不同層的所述兩個或更多圖案的控制信號。
17、一種半導體器件,包括:
兩個或更多圖案,布置在存儲核心中并且具有不同的臨界尺寸;以及
控制電路,用于給該兩個或更多圖案提供信號以根據該兩個或更多圖案各自的臨界尺寸控制該兩個或更多圖案的電特性。
18、根據權利要求17的半導體器件,其中該控制電路配置為通過根據該兩個或更多圖案的臨界尺寸控制該信號的大小或應用時間而控制該兩個或更多圖案的電特性。
19、根據權利要求17的半導體器件,其中該兩個或多個圖案布置在交迭的不同層。
20、根據權利要求19的半導體器件,其中該控制電路配置為根據圖案的臨界尺寸對于所述層中的每個單獨地控制提供給所述兩個或更多圖案的信號。
21、根據權利要求20的半導體器件,其中該控制電路包括控制單元,布置該控制單元從而在所述層中的每個布置兩個或更多控制單元,其中該控制單元配置為單獨控制各所述層的所述兩個或更多圖案的電特性。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





