[發明專利]數據驗證方法和半導體存儲器

無效

• 申請號: 200810088168.7
• 申請日: 2008-01-23
• 公開（公告）號: CN101256838A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 姜東求
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邵亞麗

1.一種驗證被編程到多級存儲器單元的多位寫入數據的方法，該方法包括：

將從被編程到存儲器單元的寫入數據中選擇的寫入數據參考位與表示想要的寫入數據位值的相應的外部數據位進行比較；以及

僅當寫入數據參考位與相應的外部數據位之間的比較結果為肯定時，驗證從寫入數據中選擇的、除寫入數據參考位之外的目標位。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在該存儲器單元中編程寫入數據；以及

使用對應于該存儲器單元的頁面緩沖器，從該存儲器單元中讀取寫入數據的一位作為寫入數據參考位。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：

將該寫入數據參考位鎖存在頁面緩沖器中的鎖存單元內；以及

將鎖存的該寫入數據參考位和相應的外部數據位應用到頁面緩沖器中的比較單元；以及

在該比較單元內比較該寫入數據參考位和相應的外部數據位。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括：

當驗證目標位后，在存儲器單元中編程該寫入數據的所有位。

5.根據權利要求4所述的方法，其中該目標位是該寫入數據中的最高有效位或最低有效位。

6.根據權利要求1所述的方法，其中該存儲器單元是非易失性存儲器單元。

7.根據權利要求6所述的方法，其中該存儲器單元是多級閃速存儲器單元。

8.根據權利要求1所述的方法，其中驗證該目標位包括：確定與該寫入數據參考位相關聯的閾值電壓分布是否與預期的閾值電壓分布一致。

9.一種驗證被編程到多級存儲器單元的N位寫入數據的方法，該方法包括：

將從被編程到存儲器單元的N位寫入數據中選擇的M個寫入數據參考位與相應的M個外部數據位進行比較，其中M小于N；以及

僅當M個寫入數據參考位與相應的M個外部數據位的比較結果為肯定時，驗證從寫入數據中選擇的、除寫入數據參考位之外的P個目標位，其中M+P等于N。

10.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在該存儲器單元內編程N位寫入數據；以及

使用對應于該存儲器單元的頁面緩沖器，從該存儲器單元中讀取寫入數據的M位作為寫入數據參考位。

11.根據權利要求10所述的方法，還包括：

將該M位寫入數據參考位鎖存在頁面緩沖器中的鎖存單元內；以及

將鎖存的該M位寫入數據參考位和相應的M位外部數據位應用到頁面緩沖器中的比較單元；以及

在該比較單元內比較該M位寫入數據參考位和相應的M位外部數據位。

12.一種半導體存儲器設備，包括：

多級存儲器單元；以及

被配置為將寫入數據編程到存儲器單元、并且從存儲器單元讀取編程的數據的頁面緩沖器，其中該頁面緩沖器被進一步配置為關于從寫入數據中選擇的寫入數據參考位與表示想要的寫入數據值的相應的外部數據位之間的比較，有條件地執行關于從寫入數據選擇的目標位的寫入數據驗證。

13.根據權利要求12所述的半導體存儲器設備，其中該頁面緩沖器包括：

鎖存單元，其鎖存該寫入數據參考位；以及

比較單元，其接收該相應外部位并且比較該寫入數據參考位和該相應外部數據位。

14.根據權利要求13所述的半導體存儲器設備，其中該寫入數據參考位包括多個寫入數據參考位，并且該外部數據位包括多個外部數據位；

其中該鎖存單元包括多個鎖存器，其分別被配置為鎖存多個寫入數據參考位之一，以及

該比較單元包括多個比較器，其分別被配置為將多個寫入數據參考位之一與多個外部數據位之一進行比較。