[發明專利]制備用于太陽能電池的抗反射或鈍化層的方法和裝置

無效

• 申請號: 200810088068.4
• 申請日: 2008-03-31
• 公開（公告）號: CN101330114A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 羅蘭·特拉斯里;斯萬·斯拉莫;托馬斯·黑格瑪尼
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 趙飛

1.一種制備用于太陽能電池的具有抗反射和/或鈍化功能的涂層的方 法，包括步驟：

在沉積室(1)中提供Si晶片(5)；

將所述Si晶片預加熱至大于400℃的溫度；和

通過濺射工藝沉積具有抗反射和/或鈍化功能的含氫涂層(28)。

2.如權利要求1的方法，其中，使用摻雜Si晶片(5)。

3.如權利要求1的方法，其中，所述涂層(28)是SiN:H層。

4.如權利要求1的方法，其中，所述預加熱步驟中的加熱通過熱輻射 元件(16)進行。

5.如權利要求4的方法，其中，在所述預加熱步驟中使用紅外線加熱 器(16)。

6.如權利要求4的方法，其中，在所述預加熱步驟中使用的紅外線加 熱器(16)能夠在1800-3000℃的加熱絲溫度下操作，和/或發射波長在硅 吸收范圍內的輻射。

7.如權利要求1的方法，其中，采用的升溫時間等于或小于100s。

8.如權利要求1的方法，其中，采用的升溫時間等于或小于50s。

9.如權利要求1的方法，其中，采用的加熱速率為4K/s或更高。

10.如權利要求1的方法，其中，采用加熱速率為10K/s或更高。

11.如權利要求1的方法，其中，所述Si晶片在預加熱時被加熱至等 于或大于450℃。

12.如權利要求1的方法，其中，所述Si晶片在預加熱時被加熱至等 于或大于500℃。

13.如權利要求1的方法，其中，所述預加熱步驟在所述Si晶片運動 過程中進行。

14.如權利要求1的方法，其中，所述預加熱步驟在工業真空條件下 進行。

15.如權利要求1的方法，其中，所述濺射工藝包括至少一個反應性 濺射步驟。