[發明專利]液體噴射頭及其制造方法

有效

• 申請號: 200810088065.0
• 申請日: 2008-03-27
• 公開（公告）號: CN101274517A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 高部本規;角浩二
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: B41J2/14
• 分類號: B41J2/14;B41J2/045;B41J2/16;H01L41/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 雒運樸;李偉

1.一種液體噴射頭，具備：流道形成基板，其形成有與噴射液體的噴嘴開口相連通的壓力發生室；壓電元件，其由設置于該流道形成基板的一個表面側的下電極、壓電體層及上電極構成，其特征在于，

上述壓電體層由鋯鈦酸鉛構成，是在(100)面上優先取向的菱形晶系構造或者單斜晶系構造，且飽和極化Pm以及剩余極化Pr滿足33％≤2Pr/2Pm≤46％。

2.根據權利要求1所述的液體噴射頭，其特征在于，

上述壓電體層是厚度為1～5μm的薄膜。

3.一種液體噴射頭的制造方法，該液體噴射頭具備：流道形成基板，其形成有與噴射液體的噴嘴開口相連通的壓力發生室；壓電元件，其由設置于該流道形成基板的一個表面側的下電極、由鋯鈦酸鉛構成的壓電體層以及上電極構成，其特征在于，具有：

壓電元件形成工序，在上述流道形成基板上形成具有上述壓電體層的上述壓電元件，上述壓電體層是在(100)面上優先取向的菱形晶系構造或者單斜晶系構造；

老化工序，對由該壓電元件形成工序形成的上述壓電元件輸入驅動信號來驅動該壓電元件，使上述壓電體層的飽和極化Pm以及剩余極化Pr滿足33％≤2Pr/2Pm≤46％；以及

壓力發生室形成工序，在上述流道形成基板上形成上述壓力發生室。

4.根據權利要求3所述的液體噴射頭的制造方法，其特征在于，

上述老化工序是在上述壓電元件上設置了束縛部件的束縛狀態下進行的，該束縛部件使上述壓電元件的位移比實際使用時更加受到束縛。

5.根據權利要求4所述的液體噴射頭的制造方法，其特征在于，

在上述壓力發生室形成工序之前進行上述老化工序，并且在該老化工序中，上述流道形成基板成為上述束縛部件。

6.根據權利要求4或5所述的液體噴射頭的制造方法，其特征在于，

在上述壓電元件形成工序之后具有保護膜形成工序，在該保護膜形成工序中，以覆蓋上述壓電元件的方式設置保護膜，在上述老化工序中，上述保護膜成為上述束縛部件。

7.根據權利要求6所述的液體噴射頭的制造方法，其特征在于，

在上述老化工序之后，具有保護膜凹部形成工序，在該保護膜凹部形成工序中，在上述保護膜的與上述上電極相對的區域形成凹部。

8.根據權利要求4至7的任意一項所述的液體噴射頭的制造方法，其特征在于，

在上述老化工序中，對上述壓電元件輸入驅動電壓比實際使用時低的驅動信號。