[發(fā)明專利]光刻曝光裝置、系統(tǒng)和光刻圖形化方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810088048.7
• 申請(qǐng)日: 2008-03-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101349872A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李鳳寧;陳永鎮(zhèn);高耀寰;柯力仁;林進(jìn)祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/26;H01L21/027
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳紅

1.一種光刻曝光裝置，其特征在于，至少包含：

一曝光模塊，設(shè)計(jì)以適用于一曝光程序；

一烘烤模塊，設(shè)計(jì)以適用于一曝光后烘烤程序，其中該烘烤模塊包含多個(gè)烘烤板；以及

一控制模塊，設(shè)計(jì)以用來(lái)控制該曝光模塊和該烘烤模塊；

其中該控制模塊設(shè)計(jì)以能夠用來(lái)聯(lián)系該曝光程序和實(shí)施于一襯底的該曝光后烘烤程序，借以控制曝光后延遲時(shí)間，使得各襯底間的曝光后延遲時(shí)間一致化；

其中該控制模塊設(shè)計(jì)能夠指派所述多個(gè)烘烤板的其中之一給該襯底；

其中該控制模塊設(shè)計(jì)用來(lái)將該曝光程序的一曝光方案利用于該襯底上，該曝光方案被調(diào)整且與被指派至所述襯底的烘烤板相關(guān)聯(lián)，以消除或減少襯底與襯底間的曝光后烘烤差異，或以消除或減少該襯底內(nèi)的曝光后烘烤誤差。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻曝光裝置，其特征在于，還至少包含與一光刻膠涂布/顯影單元耦合的一接口。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻曝光裝置，其特征在于，該光刻膠涂布/顯影單元至少包含一處理模塊，該處理模塊選自于由一光刻膠涂敷模塊、一光刻膠顯影模塊、一附著劑涂敷模塊、一軟烘模塊、一硬烘模塊、一集成測(cè)量模塊及其組合所組成的一群組。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻曝光裝置，其特征在于，還至少包含至少一裝載埠，用以從該光刻曝光裝置中裝載和卸載該襯底。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻曝光裝置，其特征在于，該烘烤模塊還至少包含一自動(dòng)控制裝置，配置用來(lái)傳送該襯底。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻曝光裝置，其特征在于，該曝光模塊還至少包含一照明單元、一掩模平臺(tái)、一影像透鏡單元、以及一襯底平臺(tái)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻曝光裝置，其特征在于，該曝光模塊還至少包含集成至該曝光模塊的一測(cè)量單元。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻曝光裝置，其特征在于，該曝光模塊還至少包含一進(jìn)/出平臺(tái)單元，在該曝光模塊和該烘烤模塊間傳送該襯底。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻曝光裝置，其特征在于，其中每一所述烘烤板還至少包含：

一熱板，用以執(zhí)行該曝光后烘烤程序于該襯底；

一冷卻板，接近該熱板，該冷卻板設(shè)計(jì)以冷卻該襯底；以及

一反應(yīng)室頂蓋，在執(zhí)行于該襯底的該曝光后烘烤程序中，配置該反應(yīng)室頂蓋用以覆蓋置于該熱板上的該襯底。

10.一種光刻曝光系統(tǒng)，其特征在于，至少包含：

一曝光裝置，至少包含：

一曝光模塊，設(shè)計(jì)以適用于一曝光程序；

一烘烤模塊，設(shè)計(jì)以適用于一曝光后烘烤程序，其中該烘烤模塊包含多個(gè)烘烤板；以及

一控制模塊，設(shè)計(jì)以控制該曝光模塊和該烘烤模塊；

其中該控制模塊設(shè)計(jì)以能夠用來(lái)聯(lián)系該曝光程序和實(shí)施于一襯底的該曝光后烘烤程序，借以控制曝光后延遲時(shí)間，使得各襯底間的曝光后延遲時(shí)間一致化；

其中該控制模塊設(shè)計(jì)能夠指派所述多個(gè)烘烤板的其中之一給該襯底；

其中該控制模塊設(shè)計(jì)用來(lái)將該曝光程序的一曝光方案利用于該襯底上，該曝光方案被調(diào)整且與被指派至所述襯底的烘烤板相關(guān)聯(lián)，以消除或減少襯底與襯底間的曝光后烘烤差異，或以消除或減少該襯底內(nèi)的曝光后烘烤誤差；以及

一光刻膠涂布/顯影單元，耦合至該曝光裝置且配置以適用于一光刻膠工藝。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻曝光系統(tǒng)，其特征在于，還至少包含一接口，用以在該光刻膠涂布/顯影單元和該曝光裝置間傳送該襯底。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻曝光系統(tǒng)，其特征在于，該曝光模塊還至少包含：

一輻射源，用來(lái)提供一輻射能；

一透鏡系統(tǒng)，配置于該輻射源附近；

一掩模平臺(tái)，鄰近于該透鏡系統(tǒng)，該掩模平臺(tái)是配置用來(lái)夾持一掩模；以及

一襯底平臺(tái)，配置以?shī)A持一襯底，并在一曝光程序中透過(guò)該透鏡系統(tǒng)和該掩模接收該輻射能。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光刻曝光系統(tǒng)，其特征在于，該輻射源提供該輻射能，且該輻射能選自于由具有一193納米波長(zhǎng)的一氟化氬準(zhǔn)分子激光、具有一248納米波長(zhǎng)的一氟化氪準(zhǔn)分子激光和具有一365納米波長(zhǎng)的一汞準(zhǔn)分子激光所組成的一群組。