[發明專利]金屬微粒分散膜及金屬微粒分散膜的制造方法

無效

• 申請號: 200810087861.2
• 申請日: 2008-03-26
• 公開（公告）號: CN101276124A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 丸山美保;都鳥顯司;多田宰;吉村玲子;山田纮
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G02F1/35
• 分類號: G02F1/35;C03C14/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 段承恩;田欣

1.一種金屬微粒分散膜的制造方法，其特征在于，通過使有機硅烷進行使側鏈上殘存羥基或醇鹽基的水解和縮聚反應來形成硅氧化膜，

使所述硅氧化膜與酸性的氯化錫水溶液接觸，

接著，通過使所述硅氧化膜與金屬螯合物的水溶液接觸，使金屬微粒分散在硅氧化膜中。

2.如權利要求1所述的金屬微粒分散膜的制造方法，其特征在于，所述金屬螯合物的水溶液由Ag(NH₃)₂⁺螯合物水溶液形成。

3.如權利要求1或2所述的金屬微粒分散膜的制造方法，其特征在于，所述有機硅烷由四乙氧基硅烷形成，所述硅氧化膜是使用按摩爾比計、四乙氧基硅烷∶乙醇∶HCl∶H₂O＝1∶10～30∶0.05～0.2∶5～15的起始組合物制造的。

4.如權利要求3所述的金屬微粒分散膜的制造方法，其特征在于，所述硅氧化膜的形成，是采用浸漬法或旋涂法將由權利要求3所述的起始組合物形成的前體溶液進行成膜，接著將所得到的硅氧化膜在室溫下保持24小時以上。

5.如權利要求4所述的金屬微粒分散膜的制造方法，其特征在于，所述氯化錫水溶液含有三氟乙酸，氯化錫與三氟乙酸的摩爾比為1∶2～3，并且所述氯化錫水溶液的pH值為3以下。

6.如權利要求5所述的金屬微粒分散膜的制造方法，其特征在于，所述Ag(NH₃)₂⁺螯合物水溶液的所述銀鹽和氨的摩爾比為1∶2～6，并且實質上是透明的。

7.如權利要求1所述的金屬微粒分散膜的制造方法，其特征在于，所述金屬微粒是由選自金、鉑、銅、鎳、鈷、銠、鈀、釕和銦中的至少一種形成的。

8.如權利要求1所述的金屬微粒分散膜的制造方法，其特征在于，制造工序在非加熱下進行。

9.一種金屬微粒分散膜，其特征在于，具有多數的金屬微粒和錫以及在內部含有相互分散的所述金屬微粒和所述錫的硅氧化物，

在紅外光譜法中，在3200～3800cm^-1和900～1000cm^-1的范圍具有峰。

10.如權利要求9所述的金屬微粒分散膜，其特征在于，所述金屬微粒是由選自金、鉑、銅、鎳、鈷、銠、鈀、釕和銦中的至少一種形成的。

11.如權利要求9所述的金屬微粒分散膜，其特征在于，所述硅氧化物含有氯。

12.如權利要求9所述的金屬微粒分散膜，其特征在于，所述金屬微粒由銀形成，在410nm～430nm的范圍具有等離激元吸收峰。