[發(fā)明專利]處理方法和處理系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810087855.7
• 申請日: 2004-06-21
• 公開（公告）號: CN101256945A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大野剛;菊池俊彥;守屋真知;齋田喜孝
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66
• 代理公司: 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉春成

1.一種處理系統(tǒng)，其特征在于：具有

對被處理體實施預(yù)定處理的處理裝置；

除去在實施了所述預(yù)定處理的被處理體表面上生成的不要部位的不要部位除去裝置；

評價通過所述不要部位除去步驟除去了不要部位的被處理體的表面構(gòu)造的表面構(gòu)造評價裝置；

將所述被處理體搬入搬出所述各裝置的搬送裝置；和

控制所述處理裝置、所述不要部位除去裝置、所述表面評價裝置和所述搬送裝置的控制裝置，

所述控制裝置，監(jiān)視所述表面構(gòu)造評價裝置中的評價操作，當判斷該評價操作為不良好時，將判斷為不良好的被處理體搬入所述不要部位除去裝置后除去不要部位，并再次搬入所述表面構(gòu)造評價裝置評價表面構(gòu)造，從而進行控制，

實施所述預(yù)定處理的處理裝置是等離子體蝕刻裝置，

除去所述不要部位的不要部位除去裝置是濕處理裝置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其特征在于：

所述控制裝置根據(jù)所述表面構(gòu)造評價裝置評價的被處理體的表面構(gòu)造控制所述預(yù)定處理的處理條件的參數(shù)中的至少1個。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其特征在于：

當所述表面構(gòu)造評價裝置中的評價在預(yù)定期間內(nèi)不導(dǎo)出最佳解時，所述控制裝置判斷評價操作是不良好的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其特征在于：

當所述表面構(gòu)造評價裝置中的評價不從儲存庫中導(dǎo)出最佳解時，所述控制裝置判斷評價操作是不良好的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其特征在于：

所述控制裝置，當作出所述不良好的判斷時，停止各裝置內(nèi)對除所述被處理體外的被處理體進行的處理或操作。

6.一種處理系統(tǒng)，其特征在于：具有，

對被處理體實施預(yù)定處理，并且通過該預(yù)定處理除去在該被處理體表面上生成的不要部位的處理裝置；

評價由所述處理裝置除去不要部位的被處理體的表面構(gòu)造的表面構(gòu)造評價裝置；

將所述被處理體搬入搬出所述各裝置的搬送裝置；和

控制所述處理裝置、所述表面評價裝置和所述搬送裝置的控制裝置，

所述控制裝置，監(jiān)視所述表面構(gòu)造評價裝置中的評價操作，當判斷該評價操作為不良好時，將判斷為不良好的被處理體搬入所述不要部位除去裝置后除去不要部位，并再次搬入所述表面構(gòu)造評價裝置評價表面構(gòu)造，從而進行控制，

實施所述預(yù)定處理的處理裝置是等離子體蝕刻裝置，

除去所述不要部位的不要部位除去裝置是濕處理裝置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的處理系統(tǒng)，其特征在于：

評價所述被處理體的表面構(gòu)造的表面構(gòu)造評價裝置用散射測量法進行評價。

8.一種處理方法，其特征在于：具有，

對被處理體實施蝕刻處理的蝕刻步驟；

用散射測量法測定經(jīng)過所述蝕刻步驟處理的被處理體的表面構(gòu)造的尺寸的表面構(gòu)造測定步驟；和

將由所述表面構(gòu)造測定步驟測定的表面構(gòu)造尺寸與預(yù)先設(shè)定的允許值進行比較，根據(jù)該比較結(jié)果決定繼續(xù)或中斷所述蝕刻處理的步驟，

所述表面構(gòu)造測定步驟測定被處理體的表面構(gòu)造的至少深度方向和水平方向的尺寸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的處理方法，其特征在于：

所述蝕刻步驟和所述表面構(gòu)造測定步驟是用具有比成為制品的被處理體更單純的構(gòu)造的試驗用被處理體進行的。

10.一種處理系統(tǒng)，其特征在于：具有，

對被處理體實施蝕刻處理的蝕刻處理裝置；

用散射測量法測定經(jīng)過蝕刻處理的被處理體的表面構(gòu)造尺寸的表面構(gòu)造測定裝置；和

將所述表面構(gòu)造的測定尺寸與預(yù)先設(shè)定的允許值比較，根據(jù)該比較結(jié)果決定繼續(xù)或中斷所述蝕刻處理裝置中的蝕刻處理的控制裝置，

所述表面構(gòu)造測定裝置測定被處理體的表面構(gòu)造的至少深度方向和水平方向的尺寸。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的處理系統(tǒng)，其特征在于：

所述表面構(gòu)造測定裝置測定用具有比成為制品的被處理體更單純的構(gòu)造的試驗用被處理體，測定所述表面構(gòu)造的尺寸。