[發明專利]探測方法、探測裝置和存儲介質

無效

• 申請號: 200810087853.8
• 申請日: 2008-03-26
• 公開（公告）號: CN101275985A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 石井一成
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;G01R1/067
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉春成

技術領域

本發明涉及使探針與被檢查體的電極片(pad)電接觸從而測定該被檢查體的電特性的技術。

背景技術

在半導體器件的制造工序中，在IC芯片完成后，通過各種電特性的檢查，判定在晶片狀態下各個IC芯片是否良好。進行該檢查的探測裝置采用在載置臺上載置晶片，在進行探測卡的探針與晶片的對位之后，使載置臺上升，使晶片上的IC芯片的電極片和探針依次接觸的結構。作為探針，現有技術中所謂的橫針為主流，但是伴隨IC芯片的高集成化、微細化，能夠使探針的排列密度高的垂直針正被廣泛采用。

但是，在使探針與電極片接觸的接觸動作中，探針必須刺破電極片表面的自然氧化膜以確保可靠的電接觸。此外，在接觸動作結束后，以攝相機對電極片上的針跡進行攝像，進行確認是否正確進行接觸的操作，為了容易確認，也要求留下一定程度的大小的針跡。圖7(a)表示從探測卡102向斜下方延伸的探針(橫針)101，圖7(b)表示使用該探針101時的接觸的狀態。在該情況下，使載置臺上升，在使探針101與晶片上的電極片103接觸之后，當再使載置臺稍為上升，施加所謂過驅動時，探針101彎曲，其針尖向旁邊滑動并削去電極片103表面的自然氧化膜105。因此，探針101與電極片103可靠地接觸，且容易進行針跡的確認操作。

另一方面，如圖8(a)所示，在探針104從探測卡102垂直地延伸的垂直針中，當過驅動時的晶片的上升速度過快時，探針104的針尖刺破電極片103，有可能破壞IC芯片，而且由于探針104與電極片103接觸時的沖擊，探針104有可能破損。因此，在過驅動時必須使晶片緩慢上升，但因為探針104垂直，且全部的探針104的針尖的高度并非完全對齊，所以探針104有可能無法刺破自然氧化膜105，導致導通不良，此外對電極片103和探針104施加垂直方向的較大的力，有可能損傷探針104或IC芯片。而且由于電極片103上的針跡是點，還存在不能容易地進行圖像識別的問題。

另一方面，在專利文獻1中，公開有利用垂直針的探針104施加過驅動之后，使晶片在水平方向移動的技術。但是，如圖8(b)所示，在過驅動時，因為探針104陷入電極片103，所以即使電極片103在水平方向移動，探針104也只是彎曲，不能削去自然氧化膜105，探針104更有可能破損。

【專利文獻1】日本專利特開平6-124985((0011))

發明內容

本發明鑒于上述情況提出，其目的在于提供一種相對被檢查體上的電極片，能夠通過作為垂直針的探針確保良好的導通，還能夠留下適當大小的針跡的技術。

本發明的探測方法，其使按照與被檢查體相對且垂直的方式形成的探針與上述被檢查體的電極片電接觸，對該被檢查體的電特性進行測定，其特征在于，包括：

將上述被檢查體載置于載置臺上的工序(a)；

接著進行上述被檢查體與上述探針的對位的工序(b)；

之后，使上述載置臺上升，從而使上述電極片與上述探針接觸的工序(c)；和

接著為了使上述探針的針尖陷入上述電極片內，使上述載置臺在鉛直方向上升并同時在水平方向移動，削去上述電極片的表面的氧化膜，使上述電極片和上述探針導通的工序(d)。

優選上述進行接觸的工序(c)是以在上述電極片內，上述探針與從上述電極片的中心位置偏離的偏移位置接觸的方式，使上述載置臺上升的工序，

上述進行導通的工序(d)是以上述探針的針尖從上述偏移位置接近上述電極片的中心位置的方式，使上述載置臺直線狀地在水平方向上移動上述偏移位置和上述中心位置之間的距離的成倍距離的工序。

優選上述進行接觸的工序(c)中的上述載置臺的上升速度，比上述進行導通的工序(d)中的上述載置臺的上升速度快。

本發明的探測裝置，其在進行載置于載置臺上的檢查體與按照與上述被檢查體相對且垂直的方式設置的探針的對位之后，使該探針與上述被檢查體的電極片電接觸，對該被檢查體的電特性進行測定，其特征在于，包括：

用于使上述載置臺在水平方向和鉛直方向移動的驅動機構；和

控制部，其輸出控制信號，使得：上述載置臺上升，使上述探針與上述載置臺上的被檢查體的電極片接觸，接著為了使上述探針的針尖陷入上述電極片內，使上述載置臺在鉛直方向上升并同時在水平方向移動，削去上述電極片的表面的氧化膜，使上述電極片和上述探針導通。