[發(fā)明專利]等離子體處理裝置、等離子體處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810087850.4
• 申請(qǐng)日: 2008-03-26
• 公開（公告）號(hào): CN101277579A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 東條利洋;齊藤均;佐藤亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H05H1/46
• 分類號(hào): H05H1/46;H01J37/32;H01L21/00
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉春成

1.一種等離子體處理裝置，其具有：在處理容器內(nèi)與該處理容器絕緣，且通過匹配電路與輸出產(chǎn)生等離子體用的高頻的高頻電源連接的陰極電極；和與該陰極電極相對(duì)地設(shè)置且通過絕緣體與所述處理容器絕緣的陽極電極，該等離子體處理裝置為在所述陰極電極和所述陽極電極中的一個(gè)電極上載置有基板，且利用高頻電力使處理氣體等離子體化并利用該等離子體對(duì)基板進(jìn)行等離子體處理的平行平板型的等離子體處理裝置，其特征在于，具有：

在產(chǎn)生等離子體時(shí)，在載置基板一側(cè)的電極上施加比產(chǎn)生等離子體用的高頻的頻率低的偏壓用的高頻的偏壓用的高頻電源；

一端側(cè)與所述陽極電極連接且另一端側(cè)與所述處理容器連接，并用于控制從陰極電極經(jīng)等離子體、陽極電極和處理容器的壁部到所述匹配電路的接地筐體的阻抗值的阻抗調(diào)整部；

測定所述阻抗調(diào)整部的電壓的電壓測定部；

位于所述阻抗調(diào)整部和電壓測定部之間，且當(dāng)令在阻抗調(diào)整部的電壓，產(chǎn)生等離子體用的高頻的頻率為f1，偏壓用的高頻的頻率為f2時(shí)，將f1作為通過頻帶，f1-f2和f1+f2作為衰減頻帶的帶通濾波器；和

當(dāng)?shù)入x子體產(chǎn)生時(shí)使所述阻抗調(diào)整部的阻抗值發(fā)生改變，同時(shí)取得由所述電壓測定部測定的電壓值，根據(jù)該電壓值，計(jì)算流入所述陽極電極的電流值，以使該電流值成為最大值或其附近的方式設(shè)定所述阻抗調(diào)整部的阻抗值的控制部。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述阻抗調(diào)整部包括可變電容器；

設(shè)置有驅(qū)動(dòng)調(diào)整所述可變電容器的靜電容量的微調(diào)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述控制部通過所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)定可變電容器的電容值，從而設(shè)定阻抗調(diào)整部的阻抗值。

3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述控制部根據(jù)由電壓測定部測定的電壓值、所述可變電容器的靜電容量值、所述可變電容器以外的構(gòu)成阻抗調(diào)整部的元件的阻抗值、和使所述陽極電極與處理容器絕緣的絕緣體的絕緣電容值，計(jì)算流入所述陽極電極的電流值。

4.如權(quán)利要求2和3中的任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述控制部，以使所述可變電容器的靜電容量值依次增大的方式控制所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，當(dāng)流入所述陽極電極的電流值開始降低時(shí)停止所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，由此設(shè)定所述可變電容器的電容值。

5.如權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述阻抗調(diào)整部由包括所述可變電容器的第一元件單元、和由電容器或電感器構(gòu)成的第二元件單元的串聯(lián)電路構(gòu)成，所述電壓測定部測定所述第一元件單元的兩端電壓或第二元件單元的兩端電壓。

6.如權(quán)利要求1～5中的任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在陽極電極的面方向中設(shè)置有多個(gè)所述阻抗調(diào)整部，所述控制部設(shè)定1個(gè)阻抗調(diào)整部的可變電容器的電容值，或者同時(shí)設(shè)定2個(gè)以上的阻抗調(diào)整部的可變電容器的電容值。

7.如權(quán)利要求2～5中的任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

設(shè)置有存儲(chǔ)進(jìn)行等離子體處理時(shí)的處理?xiàng)l件和在該處理?xiàng)l件下決定的可變電容器的微調(diào)位置的存儲(chǔ)部，當(dāng)對(duì)基板進(jìn)行等離子體處理時(shí)，所述控制部從存儲(chǔ)部讀出與該處理?xiàng)l件對(duì)應(yīng)的微調(diào)位置并控制驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。