[發(fā)明專利]在圖形化多層垂直介質(zhì)上進行磁記錄的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810087640.5 | 申請日： | 2004-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN101281752A | 公開（公告）日： | 2008-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曼弗雷德·阿爾布雷克特;奧拉夫·赫爾維格;胡國菡;布魯斯·D·特里斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | G11B5/012 | 分類號： | G11B5/012;G11B5/09;G11B5/74 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 圖形 多層 垂直 介質(zhì) 進行 記錄 方法 | ||
1.一種在磁記錄介質(zhì)上記錄多個磁水平的方法，該磁記錄介質(zhì)具有基質(zhì)和布置在基質(zhì)上的多個間隔開磁島，各島包括至少兩個堆疊的磁單元和在所述至少兩個單元之間的非磁性分隔層以存儲至少兩個數(shù)據(jù)位，在島中的各單元為單個磁疇，它的磁矩定向為沿基本垂直于基質(zhì)的兩個相對方向中的一個，在各島中最靠近基質(zhì)的單元具有比島中的其它單元更大的矯頑磁性，該方法包括：
向島施加磁場，該磁場大于離基質(zhì)最遠的單元的矯頑磁性，以便轉(zhuǎn)換在該島中的所述最遠單元的磁矩方向，同時不改變在該島中最靠近基質(zhì)的單元的磁矩方向；以及
在加熱島時向該島施加所述磁場，以便轉(zhuǎn)換在該島中的所有單元的磁矩方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述磁記錄介質(zhì)是具有所述磁島的磁記錄盤，所述磁島布置在基質(zhì)上并在大致同心的磁道中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括提供感應(yīng)式寫磁頭，其中，施加磁場包括沿兩個方向中的一個施加寫電流，從而在兩個方向中的一個中產(chǎn)生所述磁場。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中磁頭是縱向感應(yīng)寫磁頭，施加磁場包括施加方向大致垂直于基質(zhì)的邊緣場。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中磁頭是垂直感應(yīng)式寫磁頭，施加磁場包括施加方向大致垂直于基質(zhì)的磁場。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中加熱島包括提供靠近感應(yīng)式寫磁頭的電阻加熱器以及向該加熱器施加電流。
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