[發明專利]雙極晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 200810087505.0
• 申請日: 2008-03-19
• 公開（公告）號: CN101271921A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 金南柱
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/417;H01L21/331;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 蔡勝有;王春偉

1.一種雙極晶體管，包括：

在襯底中形成的集電極區；

在包括所述集電極區的所述襯底上形成的外延層；

在所述外延層中形成的基極區；

在所述基極區中形成的發射極區；

在延伸通過所述發射極區、所述基極區、所述外延層并延伸到所述集電極區中的溝槽的側壁上形成的氧化物層；和

在所述溝槽中形成的多晶硅層。

2.根據權利要求1所述的雙極晶體管，還包括在所述集電極區的下部中形成的并接觸所述溝槽的擴散區。

3.根據權利要求1所述的雙極晶體管，還包括：

在所述外延層上形成的層間介電層，所述層間介電層具有暴露所述基極區、所述發射極區和所述多晶硅層的多個接觸孔；和

在所述多個接觸孔的每一個孔中形成的分別與所述基極區、所述發射極區和所述多晶硅層電連通的電極。

4.根據權利要求3所述的雙極晶體管，其中在所述基極區和所述發射極區的至少之一上形成所述多個接觸孔和對應電極。

5.根據權利要求1所述的雙極晶體管，其中多晶硅層和擴散區的至少之一摻雜有N型雜質。

6.根據權利要求1所述的雙極晶體管，其中所述集電極區包括N+型埋層，所述基極區包括P+型基極區，所述發射極區包括N+型發射極區。

7.一種制造雙極晶體管的方法，所述方法包括：

在襯底中形成集電極區；

在包括所述集電極區的所述襯底上形成外延層；

在所述外延區中形成基極區；

在所述基極區中形成發射極區；

形成延伸通過所述發射極區、所述基極區、所述外延層并延伸到所述集電極區中的溝槽；

在所述溝槽的側壁上形成氧化物層；和然后

在所述溝槽中形成多晶硅層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中形成所述多晶硅層包括在所述集電極區中形成與所述多晶硅層接觸的擴散區。

9.根據權利要求7所述的方法，其中形成所述氧化物層包括：

在所述外延層上順序形成第二氧化物層和氮化物層；

形成所述溝槽；

在所述溝槽的側壁上形成所述氧化物層；

除去所述氮化物層；和然后

除去所述第二氧化物層和除去設置在所述溝槽底表面上的所述第一氧化物層部分。

10.根據權利要求9所述的方法，其中順序形成所述氧化物層和所述氮化物層還包括：

在所述氮化物層上涂敷光刻膠；

通過選擇性圖案化所述光刻膠來曝光所述氮化物層；和然后

使用所述圖案化的光刻膠作為掩模選擇性地除去所述氮化物層和所述第二氧化物層的一部分；

通過選擇性除去所述集電極區、所述外延層、所述發射極區和所述基極區的一部分來形成暴露所述集電極區表面的一部分的所述溝槽；和然后除去所述光刻膠。

11.根據權利要求7所述的方法，其中形成所述氧化物層包括：

在所述外延層上順序形成第二氧化物層、氮化物層和第三氧化物層；

通過除去所述第二氧化物層、所述氮化物層和所述第三氧化物層的一部分來形成暴露所述發射極區的第二溝槽；

通過實施采用所述第三氧化物層作為蝕刻掩模的蝕刻工藝來形成所述溝槽；

在所述溝槽的側壁上形成所述氧化物層；

除去所述第三氧化物層和所述氮化物層；和然后

除去所述第二氧化物層和除去設置在所述溝槽的底表面上的所述氧化物層部分。

12.根據權利要求11所述的方法，其中順序形成所述第二氧化物層、所述氮化物層和所述第三氧化物層的步驟包括：

在所述第三氧化物層上涂敷光刻膠；

圖案化所述光刻膠；

通過選擇性除去所述集電極區、所述外延層、所述發射極區和所述基極區的一部分來形成暴露所述集電極區表面的一部分的第一溝槽；和然后除去所述光刻膠。

13.根據權利要求8所述的方法，其中形成所述擴散區包括摻雜所述多晶硅層。

14.根據權利要求13所述的方法，其中利用高密度N型雜質離子摻雜所述多晶硅層。