[發明專利]半導體光元件的制造方法

無效

• 申請號: 200810087473.4
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101276994A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 岡貴郁;阿部真司
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22;H01S5/323;H01L33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 閆小龍;王忠忠

1.一種半導體光元件的制造方法，包括如下步驟：

在半導體疊層結構的表面上涂敷抗蝕劑，利用照相制版步驟，形成與波導脊對應的條紋狀的第一抗蝕劑圖形，該半導體疊層結構是在襯底上依次層疊有第一導電型的第一半導體層、活性層以及第二導電型的第二半導體層的結構；

將第一抗蝕劑圖形作為掩模，利用干法刻蝕，從其上表面側除去第二半導體層，形成波導脊和與該波導脊鄰接且底部殘留有一部分第二半導體層的凹部；

在波導脊的表面上殘留有第一抗蝕劑圖形的狀態下，在波導脊和凹部的表面上形成第一絕緣膜；

形成對凹部的第一絕緣膜進行埋設的第二抗蝕劑圖形，該第二抗蝕劑圖形使波導脊頂部上的第一絕緣膜的表面露出并且具有波導脊頂部的第一抗蝕劑圖形表面以下高度的表面；

將第二抗蝕劑圖形作為掩模，利用刻蝕，除去第一絕緣膜，使在波導脊的表面上所殘留的第一抗蝕劑圖形露出；

除去所露出的波導脊頂部的第一抗蝕劑圖形和第二抗蝕劑圖形；

在波導脊的第二半導體層表面上形成電極層。

2.根據權利要求1的半導體光元件的制造方法，其特征在于，

在使第一抗蝕劑圖形露出的步驟中，利用干法刻蝕，除去第一絕緣膜。

3.根據權利要求1或2的半導體光元件的制造方法，其特征在于，

在除去第一抗蝕劑圖形和第二抗蝕劑圖形的步驟中，使用液體除去第一抗蝕劑圖形和第二抗蝕劑圖形。

4.根據權利要求1或2的半導體光元件的制造方法，其特征在于，

形成第二抗蝕劑圖形的步驟包括如下步驟：在第一絕緣膜上涂敷抗蝕劑，并且，形成與波導脊鄰接的凹部的抗蝕劑膜的膜厚度比波導脊頂部的抗蝕劑膜的膜厚度厚的抗蝕劑膜；從該抗蝕劑膜的表面一樣地除去抗蝕劑，使與波導脊鄰接的凹部的抗蝕劑膜殘留，并且使波導脊頂部上的第一絕緣膜露出。