[發明專利]半導體裝置測試線結構、集成電路測試線結構與測試方法

有效

• 申請號: 200810087409.6
• 申請日: 2008-03-27
• 公開（公告）號: CN101276804A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 羅增錦;李國財;吳顯揚
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨;吳世華

1.一種集成電路測試線結構，位于基底，包括：

支撐基底，具有工作上表面；

多個測試裝置，形成于該基底；

多個測試線接合焊盤，包括：

第一地址接合焊盤，提供第一地址碼至選擇電路；

第二地址接合焊盤，提供第二地址碼至該選擇電路；

第一施加測試接合焊盤，提供第一刺激源至至少一個該測試裝置的端點；

第一感測接合焊盤，自至少一個該測試裝置的端點感測第一響應；以及

該選擇電路用以讀取該第一地址碼與該第二地址碼，并且根據該第一地址碼與該第二地址碼選擇性耦接該測試裝置其中之一的第一端點至該第一感測接合焊盤與該第一施加測試接合焊盤。

2.如權利要求1所述的集成電路測試線結構，其中該測試線接合焊盤形成于切割道區域。

3.如權利要求1所述的集成電路測試線結構，其中該測試裝置形成于該基底的該測試線接合焊盤下方。

4.如權利要求1所述的集成電路測試線結構，其中該測試裝置可選自一群組包括金屬氧化物半導體裝置、場金屬氧化物半導體裝置、二極管裝置、電容介電薄膜裝置、電阻裝置、接觸區/介層窗鏈裝置、柵極/場介電裝置、可靠度裝置、存儲器裝置、以及使用者設計應用于特定電路的結構等。

5.如權利要求1所述的集成電路測試線結構，其中各個該測試裝置包括：

待測元件，具有四個端點以及附加于各個該端點的多個感測/施加測試結構。

6.如權利要求1所述的集成電路測試線結構，還包括第一電源接合焊盤、第一接地接合焊盤、以及第一時脈接合焊盤，分別提供電源、接地電源與時脈信號至該選擇電路。

7.如權利要求1所述的集成電路測試線結構，其中該選擇電路包括：

多個傳送開關，耦接于所述多個測試裝置其中之一的端點與該第一感測接合焊盤或該第一施加測試接合焊盤之間；以及

地址解碼器電路，耦接于各個該傳送開關用以選擇性耦接該測試裝置其中之一的第一端點至該第一感測與該第一施加測試接合焊盤。

8.如權利要求1所述的集成電路測試線結構，其中該測試線接合焊盤形成于該基底的集成電路晶粒區。

9.一種半導體裝置測試線結構，包括：

支撐基底；

多個測試裝置，形成于該基底；

多個測試線接合焊盤，形成于該基底的表面，包括：

第一地址接合焊盤，提供第一地址碼至選擇電路；

第二地址接合焊盤，提供第二地址碼至該選擇電路；

第一施加測試接合焊盤，提供第一刺激源至至少一個該測試裝置的端點；

第一感測接合焊盤，自至少一個該測試裝置的端點感測第一響應；

第二施加測試接合焊盤，提供第二刺激源至至少一個該測試裝置的端點；

第一感測接合焊盤，自至少一個該測試裝置的端點感測第二響應；以及

該選擇電路用以讀取該第一地址碼與該第二地址碼，并且根據該第一地址碼與該第二地址碼選擇性耦接該測試裝置其中之一的第一端點至該第一感測接合焊盤與該第一施加測試接合焊盤以及耦接該測試裝置其中之一的第二端點至該第一感測接合焊盤與該第一施加測試接合焊盤。

10.如權利要求9所述的集成電路測試線結構，其中該支撐基底由多個半導體材料組成，該半導體材料包括：

硅、硅鍺、砷化鎵、磷化銦。

11.如權利要求9所述的集成電路測試線結構，其中該測試線接合焊盤形成于切割道區域。

12.如權利要求9所述的集成電路測試線結構，其中該測試裝置可選自一群組包括金屬氧化物半導體裝置、場金屬氧化物半導體裝置、二極管裝置、電容介電薄膜裝置、電阻裝置、接觸區/介層窗鏈裝置、柵極/場介電裝置、可靠度裝置、存儲器裝置、以及使用者設計應用于特定電路的結構等。

13.如權利要求12所述的集成電路測試線結構，其中該測試裝置形成于該支撐基底上的該測試線接合焊盤下方。

14.如權利要求9所述的集成電路測試線結構，其中該測試線接合焊盤形成于該支撐基底的集成電路晶粒區。