[發(fā)明專利]寬帶天線無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810087402.4 | 申請(qǐng)日： | 2003-10-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101246995A | 公開（公告）日： | 2008-08-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黑田慎一;淺井久人;山浦智也 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 索尼株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01Q9/40 | 分類號(hào)： | H01Q9/40;H01Q1/36 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 黨建華 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 寬帶 天線 | ||
1.一種單錐天線，包括：基本為圓錐形的輻射電極；以及設(shè)置得接近所述輻射電極的接地導(dǎo)體，并且，該天線構(gòu)造為：電信號(hào)饋送到所述輻射電極的近頂點(diǎn)區(qū)域與所述接地導(dǎo)體區(qū)域之間，
其中，連接所述基本為圓錐形的輻射電極的頂點(diǎn)與圓錐基底中心的直線不與圓錐的基底正交。
2.如權(quán)利要求1所述的單錐天線，
其中，電介質(zhì)填充在所述輻射電極和所述接地導(dǎo)體之間。
3.一種錐形天線，包括：
絕緣體；
設(shè)置在所述絕緣體的一個(gè)端面中的基本為圓錐形的空腔；
在所述空腔的內(nèi)表面上形成的輻射電極；
通過在圓周上剝離所述輻射電極的一部分而得到的剝離部分；
在所述空腔內(nèi)填充到至少埋沒所述剝離部分的水平的低導(dǎo)電率部件；以及
設(shè)置得靠近所述絕緣體的另一端面并與之基本平行的、或直接在所述絕緣體的另一端面上形成的接地導(dǎo)體。
4.如權(quán)利要求3所述的錐形天線，
其中，通過電鍍等在所述空腔的內(nèi)表面上形成所述輻射電極。
5.如權(quán)利要求3所述的錐形天線，
其中，所述低導(dǎo)電率部件由包含導(dǎo)體的橡膠或彈性體形成。
6.如權(quán)利要求3所述的錐形天線，
其中，電信號(hào)饋送到所述輻射電極和所述接地導(dǎo)體之間的間隙。
7.如權(quán)利要求3所述的錐形天線，
其中，在接地導(dǎo)體中形成孔，并且輻射電極的頂點(diǎn)區(qū)域延伸到背面?zhèn)龋员沭佀碗娦盘?hào)。
8.如權(quán)利要求3所述的錐形天線，
其中，提供通過在圓周上剝離所述輻射電極的一部分而得到的兩個(gè)或更多個(gè)剝離部分。
9.如權(quán)利要求8所述的錐形天線，
其中，填充在所述空腔內(nèi)的所述低導(dǎo)電率部件是多層結(jié)構(gòu)，其中，在所述空腔內(nèi)，導(dǎo)電率不同的部件逐層地填充到埋沒每一個(gè)所述剝離部分的水平。
10.如權(quán)利要求9所述的錐形天線，
其中，低導(dǎo)電率部件分布為：在所述空腔的基底一側(cè)上，導(dǎo)電率更低。
11.一種錐形天線，包括：
絕緣體；
設(shè)置在所述絕緣體的一個(gè)端面中的基本為圓錐形的第一空腔；
在所述第一空腔的內(nèi)表面上形成的第一輻射電極；
通過在圓周上剝離所述第一輻射電極的一部分而得到的第一剝離部分；
在所述空腔內(nèi)填充到至少埋沒所述第一剝離部分的水平的第一低導(dǎo)電率部件；
在所述絕緣體的另一端面中設(shè)置的基本為圓錐形的第二空腔；
在所述第二空腔的內(nèi)表面上形成的第二輻射電極；
通過在圓周上剝離所述第二輻射電極的一部分而得到的第二剝離部分；以及
在所述空腔內(nèi)填充到至少埋沒所述第二剝離部分的水平的第二低導(dǎo)電率部件。
12.如權(quán)利要求11所述的錐形天線，
其中，電信號(hào)饋送到所述第一和第二輻射電極之間的間隙。
13.如權(quán)利要求11所述的錐形天線，
其中，通過電鍍等在所述空腔的內(nèi)表面上形成所述第一和第二輻射電極。
14.如權(quán)利要求11所述的錐形天線，
其中，所述第一和第二低導(dǎo)電率部件由包含導(dǎo)體的橡膠或彈性體形成。
15.如權(quán)利要求11所述的錐形天線，
其中，通過在圓周上剝離所述第一和第二輻射電極的一部分而獲得兩個(gè)或更多個(gè)剝離部分。
16.如權(quán)利要求15所述的錐形天線，
其中，填充在所述第一和第二空腔內(nèi)的所述第一和第二低導(dǎo)電率部件是多層結(jié)構(gòu)，其中，在所述第一和第二空腔內(nèi)，導(dǎo)電率不同的部件逐層地填充到埋沒每一個(gè)所述剝離部分的水平。
17.如權(quán)利要求16所述的錐形天線，
其中，低導(dǎo)電率部件分布為：在每一個(gè)所述空腔的基底一側(cè)上，導(dǎo)電率更低。
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