[發(fā)明專利]有源矩陣基板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810087351.5 | 申請日: | 2005-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN101246892A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 栗原龍司;久田祐子;津幡俊英;武內(nèi)正典;大坪友和 | 申請(專利權(quán))人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 李香蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有源 矩陣 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置、EL(電致發(fā)光)顯示裝置等顯示裝置中所使用的有源矩陣基板。更具體來說,涉及適用于大型液晶電視等具有大型的液晶顯示器畫面的液晶顯示裝置中的有源矩陣基板。
背景技術(shù)
有源矩陣基板被廣泛用于液晶顯示裝置、EL(電致發(fā)光)顯示裝置等有源矩陣驅(qū)動型顯示裝置中。在此種有源矩陣驅(qū)動型顯示裝置中,在各自獨立的象素電極上矩陣狀地配置有源元件,以利用該有源元件選擇驅(qū)動象素電極的有源矩陣驅(qū)動方式來進行畫面顯示。作為選擇驅(qū)動象素電極的有源元件,一般使用TFT(薄膜晶體管)元件、MIM(金屬-絕緣層-金屬)元件、MOS晶體管元件、二極管、電阻器等,通過將施加在象素電極和與之相面對的對置電極之間的電壓用有源元件開關(guān),而對兩電極間的液晶層、EL發(fā)光層或等離子體發(fā)光體等顯示介質(zhì)進行光學的變頻,從而進行畫面顯示。此種有源矩陣驅(qū)動方式可以實現(xiàn)高對比度的顯示,已經(jīng)在液晶電視、個人電腦的終端顯示裝置等中被實用化。
作為使用了此種有源矩陣驅(qū)動方式的以往的液晶顯示裝置的有源矩陣基板,公布有將TFT元件的漏極借助漏極引出配線及接觸孔與象素電極連接的方案(例如參照特開平10-20298號公報。)。該以往的液晶顯示裝置中,有源矩陣基板上的漏極引出配線僅被制成1條配線,當該1條配線斷線時,則該象素的顯示無法正常地進行,產(chǎn)生被稱作象素缺陷的點燈不良,液晶顯示裝置的成品率降低。如果使用附圖對其進行說明,則在如圖13-1所示的以往的液晶顯示裝置的有源矩陣基板中,如圖13-2所示,由于1條漏極引出配線2的斷線22,從源極母線5經(jīng)過漏極1及漏極引出配線2而傳向透過用象素電極的數(shù)據(jù)信號21就被阻礙。這樣,就產(chǎn)生象素缺陷,使液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量降低,降低成品率。而且,作為漏極引出配線的斷線的原因,可以舉出配線圖案的形成時的光刻膠的圖案缺陷、在利用濺射等將成為漏極引出配線的層成膜時的成膜缺陷等。
針對于此,作為抑制象素缺陷的產(chǎn)生的技術(shù),公開有在1個象素上設置了多個薄膜晶體管的液晶顯示裝置(例如參照特開平7-199221號公報、特開2002-350901號公報。)。但是,在每個象素上設置了多個薄膜晶體管的情況下,就會導致開口率的降低、制造成本的增加,在這一點上有改善的余地。
另外,公開有如下的液晶顯示裝置等(例如參照特開平2-135320號公報、特開平8-328035號公報。),即,在相鄰的象素電極間設置連接線(橋線),在產(chǎn)生了象素缺陷的情況下,通過使用該連接線,將缺陷象素的電極與相鄰的正常象素的電極連接,就可以修復缺陷象素。但是,根據(jù)該技術(shù),由于連接線被跨越柵極配線而設置,因此由于耦合電容的增加而使灰度特性變差等,在這一點上還有改善的余地。
近年來,液晶電視等液晶顯示器畫面的大型化不斷發(fā)展,象素數(shù)增加,隨之象素缺陷也有增加的傾向。另外,伴隨著畫面的大型化,由于象素的尺寸也逐漸變大,因此在制造程序中發(fā)現(xiàn)亮點時,即使像以往那樣,將亮點修正為黑點,黑點也會與亮點一樣,作為象素缺陷而容易被使用者識認。所以,期望有通過有效地抑制象素缺陷的產(chǎn)生來提高顯示質(zhì)量、提高成品率的新技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于所述問題而完成的,其目的在于,提供在抑制開口率的降低及制造成本的上升的同時,防止了有源元件的漏極引出配線的斷線的有源矩陣基板及使用它的顯示裝置。
本發(fā)明人等在對能夠防止有源元件的漏極引出配線的斷線的有源矩陣基板進行了各種研究后發(fā)現(xiàn),通過在漏極引出配線上設置2個以上的路徑,就不會導致開口率的降低及制造成本的上升,而可以充分地降低因漏極引出配線的局部的斷線導致有源元件和保持電容上電極被絕緣的可能性,從而形成了本發(fā)明。
即,本發(fā)明是將有源元件的漏極引出配線和保持電容上電極連接的有源矩陣基板,是所述漏極引出配線具有2個以上的路徑的有源矩陣基板。而且,本申請的說明書的「以上」、「以下」包括該數(shù)值。
附圖說明
圖1-1是表示本發(fā)明的有源矩陣基板的分支結(jié)構(gòu)的一個例子的俯視示意圖。
圖1-2是表示圖1-1的有源矩陣基板的漏極斷線22的樣子的俯視示意圖。
圖2是表示將圖1-1的有源矩陣基板以線段A-A’切斷后的截面的截面示意圖。
圖3是表示MVA方式的本發(fā)明的有源矩陣基板的分支結(jié)構(gòu)的一個例子的俯視示意圖。
圖4是表示將圖3的有源矩陣基板以線段B-B’切斷后的截面的截面示意圖。
圖5-1是表示本發(fā)明的有源矩陣基板的分支結(jié)構(gòu)的一個例子的俯視示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





