[發(fā)明專利]改善低電壓輸出的比較器電路架構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810087333.7 | 申請日： | 2008-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN101540598A | 公開（公告）日： | 2009-09-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 葉茂祥 | 申請（專利權(quán)）人： | 盛群半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K5/24 | 分類號： | H03K5/24 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 陳 晨 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改善 電壓 輸出 比較 電路 架構(gòu) | ||
1.一種改善低電壓輸出的比較器電路架構(gòu)，包括偏壓電路、差動對級電路與輸出級電路，其特征在于：該差動對級電路分別與具有最低可工作電壓的該偏壓電路、輸出級電路連接，并且該偏壓電路最低可工作電壓大于該輸出級電路電壓；在比較器輸入差動對級電路與輸出級電路之間，增設(shè)兩個連接至電源電壓的電容；
其中該輸出級電路包含P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，且輸出級電路電壓是N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電壓。
2.一種改善低電壓輸出的比較器電路架構(gòu)，包括偏壓電路、差動對級電路與輸出級電路，其特征在于：該差動對級電路分別與具有最低可工作電壓的該偏壓電路、輸出級電路連接，并且該偏壓電路最低可工作電壓大于該輸出級電路電壓；在比較器輸入差動對級電路與輸出級電路之間，增設(shè)兩個連接至接地的電容；
其中該輸出級電路包含P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，且輸出級電路電壓是N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電壓。
3.一種比較器電路的操作方法，用于權(quán)利要求1或2所述的改善低電壓輸出的比較器電路架構(gòu)，其輸出狀態(tài)包括不可預(yù)知信號狀態(tài)、指定電壓及正常工作狀態(tài)，電源電壓由零電位爬升或由高電位下降，該操作方法包括以下步驟：
步驟a，開始；
步驟b，判斷電源電壓是否大于輸出級電路電壓，若判斷結(jié)果為是，執(zhí)行步驟d；若判斷結(jié)果為否，執(zhí)行步驟c；其中該輸出級電路包含P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，且輸出級電路電壓是N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電壓；
步驟c，比較器輸出不可預(yù)知信號狀態(tài)；
步驟d，判斷電源電壓是否大于偏壓電路最低工作電壓，若判斷結(jié)果為是，執(zhí)行步驟f；若判斷結(jié)果為否，執(zhí)行步驟e；
步驟e，比較器輸出維持于指定電壓；
步驟f，比較器輸出為正常工作狀態(tài)；以及
步驟g，結(jié)束。
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