[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810087262.0
• 申請日: 2008-03-24
• 公開（公告）號: CN101546762A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳柏洲;黃國瑞;宋嘉斌
• 申請（專利權(quán)）人: 鼎元光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/488;H01L23/36;H01L21/60
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 陳肖梅;謝麗娜

1.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包括：

至少一發(fā)光二極管元件，該發(fā)光二極管元件包括有一藍寶石基板、一N型氮化鎵歐姆接觸層、一氮化銦鎵發(fā)光層、一N型金屬電極、一P型氮化鎵歐姆接觸層、一透光導(dǎo)電層、一P型金屬電極及一第一金屬接著層，而該藍寶石基板上方設(shè)有該N型氮化鎵歐姆接觸層，該N型氮化鎵歐姆接觸層上方的一側(cè)設(shè)有該氮化銦鎵發(fā)光層，該N型氮化鎵歐姆接觸層上方的另一側(cè)電性耦合該N型金屬電極，而該氮化銦鎵發(fā)光層上方設(shè)有該P型氮化鎵歐姆接觸層，該P型氮化鎵歐姆接觸層上方設(shè)有該透光導(dǎo)電層，該透光導(dǎo)電層上方電性耦合該P型金屬電極，而該第一金屬接著層設(shè)于該藍寶石基板的下方；

一硅元件組，該硅元件組結(jié)合于該發(fā)光二極管元件的下方，該硅元件組包括有一硅元件，該硅元件上方的二側(cè)各設(shè)有一導(dǎo)電金屬層，而該硅元件上方二側(cè)的導(dǎo)電金屬層之間且對應(yīng)該發(fā)光二極管元件的藍寶石基板下方的第一金屬接著層處設(shè)有至少一第二金屬接著層，以供該硅元件組的硅元件上方的第二金屬接著層對應(yīng)結(jié)合于該發(fā)光二極管元件的藍寶石基板下方的第一金屬接著層的下方；以及

至少二連接導(dǎo)線，該至少二連接導(dǎo)線供該發(fā)光二極管元件與硅元件組相互電性連接，其中一連接導(dǎo)線設(shè)于該至少一發(fā)光二極管元件的P型金屬電極與硅元件組上方一側(cè)的導(dǎo)電金屬層之間，而另一連接導(dǎo)線設(shè)于該至少一發(fā)光二極管元件的N型金屬電極與硅元件組上方另一側(cè)的導(dǎo)電金屬層之間；

由此，形成一具便于實施、適合大量生產(chǎn)、降低制作成本及解決散熱問題的發(fā)光二極管。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，該藍寶石基板的厚度至多為150μm。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，該硅元件組的硅元件采用硅基板、以硅基板制成的電阻、以硅基板制成的雙向二極管其中任一。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，該第一金屬接著層及該第二金屬接著層選自銀、鋁、鎳、鈦、金、鉑、金錫、錫、鎢及其合金所組成的群組的其中任一種。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，該發(fā)光二極管元件的藍寶石基板下方的第一金屬接著層與硅元件組的硅元件上方的第二金屬接著層相互結(jié)合的方式采用熱壓、超音波、共晶的其中任一。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，該硅元件組上方結(jié)合至少二顆發(fā)光二極管元件，而各發(fā)光二極管元件彼此間設(shè)有一連接導(dǎo)線，以供電性連接。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，該硅元件組上方結(jié)合至少二顆的發(fā)光二極管元件，而各發(fā)光二極管元件的藍寶石基板、N型氮化鎵歐姆接觸層、氮化銦鎵發(fā)光層、P型氮化鎵歐姆接觸層、透光導(dǎo)電層外進一步披覆一絕緣層，且各發(fā)光二極管元件彼此間的N型金屬電極與P型金屬電極上方各設(shè)有一金屬層相互連接，以供形成電性導(dǎo)通。

8.如權(quán)利要求1、6或7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，該硅元件組上所結(jié)合的發(fā)光二極管元件至少為二顆，而各發(fā)光二極管元件之間結(jié)合方式采用為串聯(lián)、并聯(lián)、串聯(lián)及并聯(lián)組合的其中任一。

9.一種發(fā)光二極管的制法，其特征在于，該發(fā)光二極管的制法包括下列步驟：

步驟一.制作至少一發(fā)光二極管元件：于一藍寶石基板上進行至少一發(fā)光二極管的磊晶后，再于該藍寶石基板的下方鍍上至少一第一金屬接著層，以完成至少一發(fā)光二極管元件的制作；

步驟二.制作硅元件組：于該硅元件上方的二側(cè)分別形成一導(dǎo)電金屬層，再于該硅元件上方對應(yīng)于該發(fā)光二極管元件的藍寶石基板下方的第一金屬接著層處鍍上至少一第二金屬接著層，以完成該硅元件組的制作；

步驟三.將至少一發(fā)光二極管元件結(jié)合于硅元件組的上方：以該發(fā)光二極管元件的藍寶石基板下方的第一金屬接著層與硅元件組的硅元件上方的第二金屬接著層相互對應(yīng)結(jié)合，而接著形成一發(fā)光二極管；以及

步驟四.將至少一發(fā)光二極管元件與硅元件組電性連接：采用打線方式，于該發(fā)光二極管元件的P型金屬電極與硅元件組上方一側(cè)的導(dǎo)電金屬層之間設(shè)有一連接導(dǎo)線，而于該發(fā)光二極管元件的N型金屬電極與硅元件組上方另一側(cè)的導(dǎo)電金屬層之間設(shè)有另一連接導(dǎo)線，以供使發(fā)光二極管元件與硅元件組相互電性連接；由此，即完成發(fā)光二極管的制作。