[發明專利]制造半導體器件的方法及半導體制造設備

有效

• 申請號: 200810087121.9
• 申請日: 2008-03-19
• 公開（公告）號: CN101271835A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 井谷直毅
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/762;H01L21/768
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺

1、一種制造半導體器件的方法，包括如下步驟：

在半導體襯底上形成膜；

拋光該膜；以及

通過執行第一暴露步驟和第二暴露步驟清洗通過拋光步驟形成的拋光表面，其中該第一暴露步驟是將該拋光表面暴露至酸性的第一清洗液中，該第一清洗液具有蝕刻該拋光表面的至少部分區域的作用，以及該第二暴露步驟是在該第一暴露步驟之后將該拋光表面暴露至堿性的第二清洗液中。

2、如權利要求1所述的方法，其中在將該半導體襯底保持為豎直位置時執行該第一暴露步驟和該第二暴露步驟。

3、如權利要求1所述的方法，其中在不將清洗刷作用到該拋光表面的情形下執行該第一暴露步驟。

4、如權利要求1所述的方法，其中在將清洗刷作用到該拋光表面時執行該第二暴露步驟。

5、如權利要求1所述的方法，其中在該拋光表面的該部分區域中暴露氧化硅膜，并將氫氟酸用作該第一清洗液。

6、如權利要求1所述的方法，其中氨水被用作該第二清洗液。

7、如權利要求1所述的方法，其中通過該拋光步驟在該部分區域與鄰近該部分區域的另一區域之間的界面處的該拋光表面中形成階梯狀部分。

8、如權利要求1所述的方法，其中該拋光表面由在鄰近該部分區域的另一區域中形成的氮化硅膜和在該部分區域中形成的氧化硅膜構建而成。

9、如權利要求8所述的方法，還包括如下步驟：

在該半導體襯底上形成該氮化硅膜；

在該部分區域中的該氮化硅膜中形成開口；以及

通過該開口蝕刻該半導體襯底以形成器件隔離溝槽，其中

在形成該膜時，在該器件隔離溝槽中和在該氮化硅膜上形成該氧化硅膜，作為該膜，以及

當拋光該膜時，在將該氮化硅膜用作拋光停止膜的同時，拋光該氧化硅膜以使其留在該器件隔離溝槽中作為器件隔離絕緣膜。

10、如權利要求1所述的方法，其中該拋光表面由在鄰近該部分區域的另一區域中形成的鎢膜和在該部分區域中形成的氧化硅膜構建而成。

11、如權利要求10所述的方法，還包括如下步驟：

在該半導體襯底上形成該氧化硅膜；以及

在除了該部分區域以外的部分中的氧化硅膜中形成孔，其中

當形成該膜時，在該孔中和在該氧化硅膜上形成該鎢膜，作為該膜，以及

當拋光該膜時，拋光該鎢膜以使其留在該孔中作為導電塞，并使該氧化硅膜暴露在該部分區域中。

12、如權利要求11所述的方法，其中拋光該鎢膜的步驟包括：

第一拋光步驟，其使用使該鎢膜的拋光速度比該氧化硅膜的拋光速度快的漿料；以及

第二拋光步驟，其在該第一拋光步驟之后，使用使該氧化硅膜的拋光速度比該鎢膜的拋光速度快的漿料。

13、一種半導體制造設備，包括：

拋光單元，其用于拋光在半導體襯底上形成的膜；

第一清洗槽，其用于將通過拋光形成的拋光表面暴露至酸性的第一清洗液中，其中該第一清洗液具有蝕刻該拋光表面的至少部分區域的作用；以及

第二清洗槽，其用于將經過該第一清洗液作用的該拋光表面暴露至堿性的第二清洗液中。

14、如權利要求13所述的半導體制造設備，其中該第一清洗液是氫氟酸，該第二清洗液是氨水。

15、如權利要求13所述的半導體制造設備，其中將在清洗期間待作用到該拋光表面的清洗刷設置在該第二清洗槽中。

16、如權利要求13所述的半導體制造設備，其中該第一清洗槽和該第二清洗槽將該半導體襯底保持在豎直位置。