[發明專利]具有帶加固圖形的多層布線布置的半導體器件及生產方法

無效

• 申請號: 200810087116.8
• 申請日: 2004-11-08
• 公開（公告）號: CN101256988A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 小澤健
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/522;H01L23/532
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 關兆輝;陸錦華

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底(10；114；146；182；210)，具有制作在其中的電子元件；

形成在所述半導體襯底上的絕緣底層(14；118；150；186；214)；和

構建在所述絕緣底層上的多層布線布置，

其中所述的多層布線布置包括至少三個絕緣層間結構(16，30，44，50，56，62，68，74，80，86；124，126，128，130，132，134，136，138，140；158，160，162，164，166，168，170，172，174；190，192，194，196，198，200，202，204，206；216，222，224)：每個絕緣層間結構包括低k絕緣層；每個絕緣層間結構具有形成在其中的加固元件或接合栓塞，由此使得該加固元件和接合栓塞可選地設置在絕緣層間結構附近，使得所述至少三個絕緣層間結構中的一個的加固元件通過相應的接合栓塞連接到另一個絕緣層間結構相應的加固元件，從而使所述絕緣層間結構連接在一起，

其中所述加固元件與所述接合栓塞限定了多個延伸通過所述絕緣層間結構的加固柱，

其中所述多層布線布置進一步包括最上面的絕緣層間結構，該最上面的絕緣層間結構具有形成在其中的多個電極焊盤，每個電極焊盤適于電連接到外部端子，以及

其中在絕緣層間結構中整體均勻地布置多個加固元件。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中沿著絕緣層間結構的四個邊緣密集地布置多個加固元件，以及在中間區域稀疏地布置多個加固元件。

3.如權利要求1所述的半導體器件，在絕緣層間結構的四個角部區域密集地布置多個加固元件，而在其他區域稀疏地布置多個加固元件。

4.如權利要求1至3任意一項所述的半導體器件，其中包括在所述加固柱的兩個相鄰加固柱中的加固元件被互相結合在一起，從而產生一個梁狀的加固元件(170A)。

5.如權利要求1至3任意一項所述的半導體器件，其中所述加固柱整體均勻地分布在所述多層布線布置中。

6.如權利要求1至3任意一項所述的半導體器件，其中所述加固柱沿著所述多層布線布置的邊緣密集地布置。

7.如權利要求1至3任意一項所述的半導體器件，其中所述加固柱在所述多層布線布置的角部區域密集地布置。

8.如權利要求1至3任意一項所述的半導體器件，其中所述多層布線布置還包括具有形成在其中的氧化物絕緣層(62B’，68B’，80B’)的至少一個氧化物絕緣層間結構(62’，68’，80’)，且所述至少一個氧化物絕緣層間結構設置在所述至少三個絕緣層間結構(16，30，44)上面。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其中所述至少一個氧化物絕緣層間結構(62’，68’，80’)具有形成在其中的布線布局圖形，且所述布線布局圖形的一部分(94，96)位于通過交替地連接加固元件(28，48)和接合栓塞(42)而限定的加固柱上面。

10.如權利要求1至3任意一項所述的半導體器件，其中所述絕緣底層(14，118，150)具有形成在其中的接合栓塞(98；120；152₁，152₂)，所述接合栓塞的一端連接到所述半導體襯底(10，114，146)，所述接合栓塞的另一端連接到形成在所述第一絕緣層間結構(16，124，158)中的加固元件。