[發明專利]半導體器件和制造方法

有效

• 申請號: 200810087093.0
• 申請日: 2008-04-11
• 公開（公告）號: CN101286484A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 森健太郎;菊池克;山道新太郎
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29;H01L23/488;H01L23/367;H01L25/00;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 陸錦華;郇春艷

1.一種半導體器件，其中半導體元件安裝在由絕緣層和布線層制成的電路板的一側上，所述半導體器件包括：

金屬柱，提供在所述電路板的其上安裝了所述半導體元件的一側上；和

密封層，提供在所述電路板的其上安裝了所述半導體元件的一側上，以便覆蓋所述半導體元件以及僅暴露出所述金屬柱的一部分。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述密封層是包括加固材料的有機材料。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述加固材料由玻璃、芳族聚酰胺、液晶聚合物和PTFE中的任一種組成，或由多種這些材料組成。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述加固材料是織物。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述加固材料是非織物。

6.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述加固材料是膜。

7.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述加固材料和所述金屬柱不接觸。

8.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述加固材料和所述金屬柱接觸。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中嵌入材料提供在所述金屬柱周圍。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述密封層包括用于覆蓋所述半導體元件的半導體元件密封層。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，關于所述金屬柱的形狀，所述金屬柱的接觸所述電路板的表面的面積大于所述金屬柱的相對表面的面積。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中在其上提供了所述金屬柱的一側上的所述電路板的所述布線層的部分低于所述絕緣層。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體元件和所述電路板之間的連接是倒裝芯片連接和引線結合連接中的一種。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體元件和所述電路板之間的連接是所述電路板的布線直接連接至所述半導體元件的連接端子部的連接。

15.根據權利要求1所述的半導體器件，其中有多個所述金屬柱，并且所述金屬柱中的任一個都連接至所述布線層且用作與另一半導體器件的連接部。

16.根據權利要求1的所述半導體器件，其中所述金屬柱連接至熱沉。

17.一種制造半導體器件的方法，包括：

在金屬體上形成由絕緣層和布線層組成的電路板；

在所述金屬體的、與所述金屬體的接觸所述電路板的表面相對的表面上形成掩模；

通過利用所述掩模移除所述金屬體的一部分形成金屬柱；

在其上已經形成了所述金屬柱的所述電路板上安裝半導體元件；

在密封層中嵌入所述半導體元件和所述金屬柱；和

通過移除所述密封層的一部分暴露出所述金屬體的作為接觸所述電路板的相對表面的表面。

18.根據權利要求17所述的制造半導體器件的方法，其中嵌入所述半導體元件和所述金屬柱包括：

在所述密封層中形成半導體元件區域開口和金屬柱區域開口；

在其上已經提供了所述半導體元件和所述金屬柱的所述電路板上堆疊其中已經形成了所述開口的所述密封層；和

在所述密封層上堆疊沒有開口和加固材料的第二密封層。

19.根據權利要求17所述的制造半導體器件的方法，其中嵌入所述半導體元件和所述金屬柱包括：

在所述密封層中形成半導體元件區域開口和金屬柱區域開口；

在其上已經提供了所述半導體元件和所述金屬柱的所述電路板上堆疊其中已經形成了所述開口的所述密封層；和

在所述密封層上堆疊嵌入材料。

20.根據權利要求17所述的制造半導體器件的方法，其中嵌入所述半導體元件和所述金屬柱包括：

在半導體元件密封層中嵌入所述半導體元件；和

在密封層中嵌入所述金屬柱。