[發明專利]成像設備

有效

• 申請號: 200810086999.0
• 申請日: 2008-04-03
• 公開（公告）號: CN101339377A
• 公開（公告）日: 2009-01-07
• 發明（設計）人: 額田秀美;鈴木貴弘;石河勇
• 申請（專利權）人: 富士施樂株式會社
• 主分類號: G03G15/00
• 分類號: G03G15/00;G03G5/14
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁香蘭;謝栒

1.一種成像設備，所述成像設備包含：

圖像保持部件，所述圖像保持部件包含：

基體，所述基體的表面對于第一波長的光的正反射率為30％～95％，所述基體的表面的所述正反射率為通過測定所述基體對所述第一波長的光的全反射率和漫反射率并通過將所述全反射率減去所述漫反射率來計算二者之差而獲得的正反射率，所述正反射率以％表示；和

底層，所述底層對所述第一波長的光的每單位層厚的透光率為50％以上，以及感光層，當用與所述第一波長不同的第二波長的光照射所述感光層時，所述感光層的吸光度為所述感光層的最大吸收波長處的吸光度的1/10以上，當用所述第一波長的光照射所述感光層時，所述感光層的吸光度低于所述感光層的最大吸收波長處的吸光度的1/10，所述底層和所述感光層依次層積在所述基體上；

帶電單元，所述帶電單元使所述圖像保持部件帶電；

潛像形成單元，所述潛像形成單元通過用所述第二波長的光使經所述帶電單元而帶電的所述圖像保持部件曝光從而在所述圖像保持部件上形成靜電潛像；

顯影單元，所述顯影單元使用調色劑將所述靜電潛像顯影并在所述圖像保持部件上形成與所述靜電潛像相對應的調色劑圖像；

測定單元，所述測定單元包含：

照射單元，所述照射單元將所述第一波長的光照射到所述圖像保持部件上；和

檢測單元，所述檢測單元檢測通過來自所述照射單元的光的照射而產生的反射光，并基于由所述檢測單元所檢測到的反射光來測定在所述圖像保持部件上形成的所述調色劑圖像的濃度；和

控制單元，所述控制單元控制所述潛像形成單元以便所述潛像形成單元形成與預定濃度的圖像相對應的靜電潛像，并且基于由所述測定單元所獲得的所述調色劑圖像的濃度的測定結果，控制選自以下參數中的至少一個參數：通過所述帶電單元使所述圖像保持部件帶電時的帶電電位；通過所述潛像形成單元使所述圖像保持部件曝光時的曝光量；和通過所述顯影單元將所述調色劑顯影時的顯影電位，從而使得由所述測定單元所獲得的測定結果基本上等于所述預定濃度。

2.如權利要求1所述的成像設備，其中，所述基體的表面對所述第一波長的光的正反射率為35％～90％。

3.如權利要求1所述的成像設備，其中，所述基體的表面對所述第一波長的光的正反射率為40％～85％。

4.如權利要求1所述的成像設備，其中，所述底層對所述第一波長的光的每單位層厚的透光率為50％～95％。

5.如權利要求1所述的成像設備，其中，所述底層對所述第一波長的光的每單位層厚的透光率為60％～95％。

6.如權利要求1所述的成像設備，其中，所述底層對所述第一波長的光的每單位層厚的透光率為70％～95％。

7.如權利要求1所述的成像設備，其中，所述圖像保持部件整體對所述第一波長的光的正反射率為30％以下。

8.如權利要求1所述的成像設備，其中，所述圖像保持部件整體對所述第一波長的光的正反射率為25％以下。

9.如權利要求1所述的成像設備，其中，所述圖像保持部件整體對所述第一波長的光的正反射率為20％以下。

10.如權利要求1所述的成像設備，其中，所述底層滿足以下不等式(1)所示的關系：

不等式(1)Y＞X/4.5

其中，X表示所述底層對所述第一波長的光的每單位層厚的透光率，所述透光率以％表示，Y表示所述底層的厚度，所述厚度以μm表示。

11.如權利要求1所述的成像設備，其中，所述底層還包含填料。

12.如權利要求11所述的成像設備，其中，所述填料為金屬氧化物顆粒。

13.如權利要求12所述的成像設備，其中，所述金屬氧化物顆粒包含選自由氧化鋅、氧化鈦和氧化錫組成的組中的至少一種化合物。

14.如權利要求1所述的成像設備，其中，所述底層還包含相對于所述底層的總體積的5體積％～70體積％的量的填料。

15.如權利要求14所述的成像設備，其中，所述填料的量相對于所述底層的總體積為5體積％～60體積％。